2022 àrd-inbhe MOCVD Susceptor Ceannaich air-loidhne ann an Sìona, Sic Graphite epitaxy susceptors,
Fo-stratan taic graphite, Luchd-gabhail Graphite, Susceptors Graphite airson SiC Epitaxy, Susceptors Graphite airson Silicon, Susceptors graphite le còmhdach carbide silicon, ionnsramaidean GRAPHITE ANN AN SEMICONDUCTOR Treallaichean graifit Susceptors wafer grafait Innealan GRAPHITE àrd-purity Opto-electronics, àrd-ùrlaran saideal airson an MOCVD, Àrd-ùrlaran saideal grafait còmhdaichte le SiC airson MOCVD,

Tha buannachdan sònraichte bho ar luchd-gabhail grafait còmhdaichte le SiC a’ toirt a-steach purrachd fìor àrd, còmhdach aon-ghnèitheach agus beatha seirbheis sàr-mhath. Tha neart ceimigeach àrd aca cuideachd agus feartan seasmhachd teirmeach.

Bidh còmhdach SiC de substrate Graphite airson tagraidhean Semiconductor a ’toirt a-mach pàirt le purrachd nas fheàrr agus an aghaidh àile oxidizing.
Tha CVD SiC no CVI SiC air a chuir an sàs ann an Graphite de phàirtean dealbhaidh sìmplidh no iom-fhillte. Faodar còmhdach a chuir an sàs ann an diofar thiugh agus gu pàirtean glè mhòr.

Feartan:
· Sàr-aghaidh clisgeadh teirmeach
· Sàr-aghaidh corporra clisgeadh
· Sàr-aghaidh ceimigeach
· Super High Purity
· Ri fhaighinn ann an cumadh iom-fhillte
· Faodar a chleachdadh fo Atmosphere Oxidizing

Feartan àbhaisteach stuth bunaiteach grafait:

Bidh carbon a’ solarachadh suaicheantais agus co-phàirtean grafait airson a h-uile reactor epitaxy gnàthach. Tha ar cùram-roinne a’ toirt a-steach suaicheantais baraille airson aonadan gnìomhaichte agus LPE, susceptors pancake airson aonadan LPE, CSD, agus Gemini, agus suaicheantais aon-wafer airson aonadan gnìomhaichte agus ASM. a’ tabhann an dealbhadh as fheàrr airson an tagradh agad.