GaN Epitaxy bunaithe ar shileacan

Cur síos gairid:


  • Áit Tionscnaimh:tSín
  • Struchtúr Criostail:céim FCCβ
  • Dlús:3.21 g/cm
  • Cruas:2500 Vickers
  • Méid Gráin:2~10μm
  • Íonacht Cheimiceach:99.99995%
  • Cumas Teasa:640J·kg-1·K-1
  • Teocht sublimation:2700 ℃
  • Neart Felexural:415 Mpa (RT 4-Pointe)
  • Modal Óg:430 Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)
  • Leathnú Teirmeach (CTE):4.5 10-6K-1
  • Seoltacht theirmeach:300 (W/mK)
  • Sonraí Táirge

    Clibeanna Táirge

    Cur síos ar an Táirge

    Soláthraíonn ár gcuideachta seirbhísí próisis sciath SiC trí mhodh CVD ar dhromchla graifít, criadóireacht agus ábhair eile, ionas go n-imoibríonn gáis speisialta ina bhfuil carbóin agus sileacain ag teocht ard chun móilíní SiC ardíonachta a fháil, móilíní a thaisceadh ar dhromchla na n-ábhar brataithe, foirmiú ciseal cosanta SIC.

    Príomhghnéithe:

    1. Friotaíocht ocsaídiúcháin teocht ard:

    tá an friotaíocht ocsaídiúcháin fós an-mhaith nuair a bhíonn an teocht chomh hard le 1600 C.

    2. Ard-íonacht: déanta ag sil-leagan ceimiceach gaile faoi choinníoll clóiríniú teocht ard.

    3. Friotaíocht creimeadh: cruas ard, dromchla dlúth, cáithníní fíneáil.

    4. Friotaíocht creimeadh: aigéad, alcaile, salann agus imoibrithe orgánacha.

    Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC

    Airíonna SiC-CVD

    Struchtúr Criostail FCC β céim
    Dlús g/cm³ 3.21
    Cruas Vickers cruas 2500
    Méid Grán μm 2~10
    Íonacht Cheimiceach % 99.99995
    Cumas Teasa J·kg-1 ·K-1 640
    Teocht sublimation 2700
    Neart Felexural MPa (RT 4 phointe) 415
    Modal Óg Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃) 430
    Leathnú Teirmeach (CTE) 10-6K-1 4.5
    Seoltacht theirmeach (W/mK) 300

     

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Roimhe Seo:
  • Ar Aghaidh:

  • Comhrá ar Líne WhatsApp!