Nijs

Hoe wurdt SiC mikropoeder makke?
troch admin op 24-05-13
SiC single crystal is in groep IV-IV gearstald semiconductor materiaal gearstald út twa eleminten, Si en C, yn in stoichiometryske ferhâlding fan 1: 1. Syn hurdens is twadde allinnich nei diamant. De metoade foar koalstofreduksje fan silisiumokside om SiC te meitsjen is benammen basearre op de folgjende gemyske reaksjeformule ...
Lês mear
Hoe helpe epitaksiale lagen semiconductor-apparaten?
troch admin op 24-05-13
De oarsprong fan 'e namme epitaksiale wafer Litte wy earst in lyts konsept popularisearje: waferfoarming omfettet twa wichtige keppelings: substraatfoarming en epitaksiaal proses. It substraat is in wafel makke fan semiconductor single crystal materiaal. It substraat kin direkt yn 'e wafelfabryk komme ...
Lês mear
Yntroduksje ta gemyske dampdeposysje (CVD) technology foar tinne filmdeposysje
troch admin op 24-05-06
Chemical Vapor Deposition (CVD) is in wichtige tinne film deposition technology, faak brûkt foar it tarieden fan ferskate funksjonele films en tinne laach materialen, en wurdt in soad brûkt yn semiconductor manufacturing en oare fjilden. 1. Wurkprinsipe fan CVD Yn it CVD-proses is in gasfoarrinner (ien of ...
Lês mear
It geheim fan 'swart goud' efter de fotovoltaïske semiconductor-yndustry: de winsk en ôfhinklikens fan isostatysk grafyt
troch admin op 24-05-06
Isostatysk grafyt is in tige wichtich materiaal yn fotovoltaïka en semiconductors. Mei de rappe opkomst fan ynlânske isostatyske grafytbedriuwen is it monopoalje fan bûtenlânske bedriuwen yn Sina brutsen. Mei trochgeande ûnôfhinklik ûndersyk en ûntwikkeling en technologyske trochbraken, de ...
Lês mear
Untskoattelje de essensjele skaaimerken fan grafytboaten yn produksje fan semiconductorkeramyk
troch admin op 24-04-22
Grafytboaten, ek wol grafytboaten neamd, spylje in krúsjale rol yn 'e yngewikkelde prosessen fan produksje fan semiconductorkeramyk. Dizze spesjalisearre skippen tsjinje as betroubere dragers foar semiconductor wafers by hege temperatuer behannelingen, soargje foar krekte en kontrolearre ferwurking. Mei...
Lês mear
De ynterne struktuer fan de oven buis apparatuer wurdt útlein yn detail
troch admin op 24-04-22
Lykas hjirboppe sjen litten, is in typysk De earste helte: ▪ Heating Element (heating coil): leit om 'e oven tube, meastal makke fan ferset triedden, brûkt om ferwaarming de binnenkant fan' e oven tube. ▪ Quartz Tube: De kearn fan in hjitte oksidaasjeofen, makke fan kwarts mei hege suverens dy't h ...
Lês mear
Effekten fan SiC substraat en epitaksiale materialen op MOSFET apparaat skaaimerken
troch admin op 24-04-16
Trijehoekige defekt Triangulêre defekten binne de meast fatale morfologyske defekten yn SiC epitaksiale lagen. In grut oantal literatuerrapporten hat sjen litten dat de formaasje fan trijehoekige defekten besibbe is oan de 3C-kristalfoarm. Troch ferskate groeimeganismen is de morfology fan in protte ...
Lês mear
Groei fan SiC silisiumkarbid single crystal
troch admin op 24-04-16
Sûnt syn ûntdekking hat silisiumkarbid wiidferspraat omtinken lutsen. Silisiumkarbid is gearstald út heale Si-atomen en heale C-atomen, dy't ferbûn binne troch kovalente bannen fia elektroanenpearen dy't sp3 hybride orbitalen diele. Yn 'e basisstrukturele ienheid fan har ienkristal binne fjouwer Si-atomen in ...
Lês mear
VET útsûnderlike eigenskippen fan Graphite Rods
troch admin op 24-04-08
Grafyt, in foarm fan koalstof, is in opmerklik materiaal bekend om syn unike eigenskippen en breed oanbod fan tapassingen. Graphite roeden, benammen, hawwe krigen wichtige erkenning foar harren útsûnderlike kwaliteiten en veelzijdigheid. Mei har treflike termyske conductivity, elektryske conductivity ...
Lês mear