Nijs

Wat binne de mankeminten fan silisiumkarbid epitaksiale laach
troch admin op 24-06-05
De kearntechnology foar de groei fan SiC epitaksiale materialen is earst defektkontrôletechnology, foaral foar defektkontrôletechnology dy't gefoelich is foar apparaatfalen as betrouberensdegradaasje. De stúdzje fan it meganisme fan substraatdefekten dy't útwreidzje yn 'e epi ...
Lês mear
Oxidisearre steande nôt en epitaksiale groeitechnology-Ⅱ
troch admin op 24-05-30
2. Epitaksiale tinne film groei It substraat jout in fysike stipe laach of conductive laach foar Ga2O3 macht apparaten. De folgjende wichtige laach is de kanaal laach of epitaxial laach brûkt foar spanning ferset en carrier ferfier. Om de trochbraakspanning te ferheegjen en de konsintraasje te minimalisearjen ...
Lês mear
Gallium okside ienkristal en epitaksiale groeitechnology
troch admin op 24-05-30
Wide bandgap (WBG) semiconductors fertsjintwurdige troch silisiumkarbid (SiC) en galliumnitride (GaN) hawwe wiidferspraat omtinken krigen. Minsken hawwe hege ferwachtingen foar de tapassingsperspektyf fan silisiumkarbid yn elektryske auto's en stroomnetten, lykas ek de tapassingsperspektyf fan gallium ...
Lês mear
Wat binne de technyske barriêres foar silisiumkarbid?Ⅱ
troch admin op 24-05-22
De technyske swierrichheden by it stabile massaprodusearjen fan heechweardige silisiumkarbidwafers mei stabile prestaasjes binne ûnder oaren: 1) Sûnt kristallen moatte groeie yn in hege temperatuer fersegele omjouwing boppe 2000 ° C, de easken foar temperatuerkontrôle binne ekstreem heech; 2) Sûnt silisiumkarbid hat ...
Lês mear
Wat binne de technyske barriêres foar silisiumkarbid?
troch admin op 24-05-22
De earste generaasje fan semiconductor materialen wurdt fertsjintwurdige troch tradisjoneel silisium (Si) en germanium (Ge), dy't binne de basis foar yntegrearre circuit manufacturing. Se wurde in protte brûkt yn leechspannings-, leechfrekwinsje- en leech-macht transistors en detektors. Mear dan 90% fan semiconductor prod ...
Lês mear
Hoe wurdt SiC mikropoeder makke?
troch admin op 24-05-13
SiC single crystal is in groep IV-IV gearstald semiconductor materiaal gearstald út twa eleminten, Si en C, yn in stoichiometryske ferhâlding fan 1: 1. Syn hurdens is twadde allinnich nei diamant. De metoade foar koalstofreduksje fan silisiumokside om SiC te meitsjen is benammen basearre op de folgjende gemyske reaksjeformule ...
Lês mear
Hoe helpe epitaksiale lagen semiconductor-apparaten?
troch admin op 24-05-13
De oarsprong fan 'e namme epitaksiale wafer Litte wy earst in lyts konsept popularisearje: waferfoarming omfettet twa wichtige keppelings: substraatfoarming en epitaksiaal proses. It substraat is in wafel makke fan semiconductor single crystal materiaal. It substraat kin direkt yn 'e wafelfabryk komme ...
Lês mear
Yntroduksje ta gemyske dampdeposysje (CVD) technology foar tinne filmdeposysje
troch admin op 24-05-06
Chemical Vapor Deposition (CVD) is in wichtige tinne film deposition technology, faak brûkt foar it tarieden fan ferskate funksjonele films en tinne laach materialen, en wurdt in soad brûkt yn semiconductor manufacturing en oare fjilden. 1. Wurkprinsipe fan CVD Yn it CVD-proses is in gasfoarrinner (ien of ...
Lês mear
It geheim fan 'swart goud' efter de fotovoltaïske semiconductor-yndustry: de winsk en ôfhinklikens fan isostatysk grafyt
troch admin op 24-05-06
Isostatysk grafyt is in tige wichtich materiaal yn fotovoltaïka en semiconductors. Mei de rappe opkomst fan ynlânske isostatyske grafytbedriuwen is it monopoalje fan bûtenlânske bedriuwen yn Sina brutsen. Mei trochgeande ûnôfhinklik ûndersyk en ûntwikkeling en technologyske trochbraken, de ...
Lês mear