Nijs

Soarten spesjale grafyt
troch admin op 24-06-17
Spesjale grafyt is in hege suverens, hege tichtens en hege sterkte grafyt materiaal en hat poerbêste corrosie ferset, hege temperatuer stabiliteit en grutte elektryske conductivity. It is makke fan natuerlik as keunstmjittich grafyt nei hege temperatuer waarmte behanneling en hege druk ferwurking ...
Lês mear
Analyze fan tinne film ôfsettingsapparatuer - De prinsipes en tapassingen fan PECVD/LPCVD/ALD-apparatuer
troch admin op 24-06-12
Tinne film ôfsetting is te coat in laach fan film op de wichtichste substraat materiaal fan de semiconductor. Dizze film kin makke wurde fan ferskate materialen, lykas isolearjende gearstalde silisiumdiokside, semiconductor polysilicium, metaal koper, ensfh.
Lês mear
Wichtige materialen dy't bepale de kwaliteit fan monokristallijn silisium groei - termyske fjild
troch admin op 24-06-12
It groeiproses fan monokristallijn silisium wurdt folslein útfierd yn it termyske fjild. In goed termysk fjild is befoarderlik foar it ferbetterjen fan de kwaliteit fan kristallen en hat in hegere kristallisaasje-effisjinsje. It ûntwerp fan it termyske fjild bepaalt foar in grut part de feroaringen yn temperatuergradiënten ...
Lês mear
Wat binne de technyske swierrichheden fan silisiumkarbid kristalgroeiofen?
troch admin op 24-06-07
De kristalgroeiofen is de kearnapparatuer foar groei fan silisiumkarbidkristal. It is fergelykber mei de tradisjonele kristallijne silisium-klasse kristalgroeiofen. De ovenstruktuer is net heul yngewikkeld. It is benammen gearstald út oven lichem, ferwaarming systeem, coil transmission meganisme ...
Lês mear
Wat binne de mankeminten fan silisiumkarbid epitaksiale laach
troch admin op 24-06-05
De kearntechnology foar de groei fan SiC epitaksiale materialen is earst defektkontrôletechnology, foaral foar defektkontrôletechnology dy't gefoelich is foar apparaatfalen as betrouberensdegradaasje. De stúdzje fan it meganisme fan substraatdefekten dy't útwreidzje yn 'e epi ...
Lês mear
Oxidisearre steande nôt en epitaksiale groeitechnology-Ⅱ
troch admin op 24-05-30
2. Epitaksiale tinne film groei It substraat jout in fysike stipe laach of conductive laach foar Ga2O3 macht apparaten. De folgjende wichtige laach is de kanaal laach of epitaxial laach brûkt foar spanning ferset en carrier ferfier. Om de trochbraakspanning te ferheegjen en de konsintraasje te minimalisearjen ...
Lês mear
Gallium okside ienkristal en epitaksiale groeitechnology
troch admin op 24-05-30
Wide bandgap (WBG) semiconductors fertsjintwurdige troch silisiumkarbid (SiC) en galliumnitride (GaN) hawwe wiidferspraat omtinken krigen. Minsken hawwe hege ferwachtingen foar de tapassingsperspektyf fan silisiumkarbid yn elektryske auto's en stroomnetten, lykas ek de tapassingsperspektyf fan gallium ...
Lês mear
Wat binne de technyske barriêres foar silisiumkarbid?Ⅱ
troch admin op 24-05-22
De technyske swierrichheden by it stabile massaprodusearjen fan heechweardige silisiumkarbidwafers mei stabile prestaasjes binne ûnder oaren: 1) Sûnt kristallen moatte groeie yn in hege temperatuer fersegele omjouwing boppe 2000 ° C, de easken foar temperatuerkontrôle binne ekstreem heech; 2) Sûnt silisiumkarbid hat ...
Lês mear
Wat binne de technyske barriêres foar silisiumkarbid?
troch admin op 24-05-22
De earste generaasje fan semiconductor materialen wurdt fertsjintwurdige troch tradisjoneel silisium (Si) en germanium (Ge), dy't binne de basis foar yntegrearre circuit manufacturing. Se wurde in protte brûkt yn leechspannings-, leechfrekwinsje- en leech-macht transistors en detektors. Mear dan 90% fan semiconductor prod ...
Lês mear