SiC Coating Carrier For RTP/RTA on avainkomponentti, jota käytetään puolijohteiden valmistusprosesseissa nimeltä Rapid Thermal Processing & Hehkutus. Käytämme patentoitua teknologiaamme valmistaaksemme piikarbidista erittäin puhtaita, tasalaatuisia pinnoitteita ja erinomaisen käyttöiän. sekä korkea kemiallinen kestävyys ja lämpöstabiilisuusominaisuudet.
Tuotteidemme ominaisuudet:
1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys jopa 1700 ℃.
2. Korkea puhtaus ja lämpötasaisuus
3. Erinomainen korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.
4. Korkea kovuus, kompakti pinta, hienojakoisia hiukkasia.
5. Pidempi käyttöikä ja kestävämpi
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC:n fysikaaliset perusominaisuudetpinnoite | |
| 性质 / Omaisuus | 典型数值 / Tyypillinen arvo |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC p-vaihe多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tiheys | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kovuus | 2500 维氏硬度 (500 g kuorma) |
| 晶粒大小 / viljan koko | 2-10 μm |
| 纯度 / Kemiallinen puhtaus | 99,99995 % |
| 热容 / Lämpökapasiteetti | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimaatiolämpötila | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Taivutusvoima | 415 MPa RT 4-piste |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt taivutus, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalJohtavuus | 300 W · m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Lämpölaajeneminen (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
VET Energy on räätälöityjen grafiitti- ja piikarbidituotteiden todellinen valmistaja erilaisilla pinnoitteilla, kuten SiC-pinnoite, TaC-pinnoite, lasimainen hiilipinnoite, pyrolyyttinen hiilipinnoite jne., Voi toimittaa erilaisia räätälöityjä osia puolijohde- ja aurinkosähköteollisuudelle.
Tekninen tiimimme tulee parhaista kotimaisista tutkimuslaitoksista, voi tarjota sinulle ammattimaisempia materiaaliratkaisuja.
Kehitämme jatkuvasti edistyneitä prosesseja tarjotaksemme entistä kehittyneempiä materiaaleja, ja olemme kehittäneet ainutlaatuisen patentoidun teknologian, joka voi tehdä pinnoitteen ja alustan välisestä sidoksesta tiukemman ja vähemmän altis irtoamiselle.
Lämpimästi tervetuloa vierailemaan tehtaallamme, keskustellaan lisää!
