SiC-pinnoite voidaan valmistaa kemiallisella höyrypinnoituksella (CVD), esiastemuuntamalla, plasmaruiskuttamalla jne. KEMIALLISELLA höyrypinnoituksella valmistettu pinnoite on tasainen ja kompakti, ja sillä on hyvä muotoiltavuus. Käyttämällä metyylitriklosilaania. (CHzSiCl3, MTS) piin lähteenä, piikarbidipinnoitteen valmistelu...
Lue lisää