IC Single-Crystal Silicon Epitaxy

Lyhyt kuvaus:

Alkuperäpaikka:Kiina

Kristallirakenne:FCCp-vaihe

Tiheys:3,21 g/cm;

Kovuus:2500 Vickers;

Raekoko:2-10 μm;

Kemiallinen puhtaus:99,99995 %;

Lämpökapasiteetti:640 J·kg-1·K-1;

Sublimaatiolämpötila:2700 ℃;

Ulkopuolinen vahvuus:415 Mpa (RT 4-piste);

Youngin moduuli:430 Gpa (4 pt taivutus, 1300 ℃);

Lämpölaajeneminen (CTE):4,5 10-6K-1;

Lämmönjohtavuus:300 (W/MK);

Lähetä meille sähköpostia Lataa PDF-muodossa

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuotteen kuvaus

Yrityksemme tarjoaa piikarbidipinnoitusprosessipalveluita CVD-menetelmällä grafiitin, keramiikan ja muiden materiaalien pinnalle siten, että erityiset hiiltä ja piitä sisältävät kaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa, jolloin saadaan erittäin puhtaita SiC-molekyylejä, pinnoitettujen materiaalien pinnalle kerrostettuja molekyylejä, muodostaen SIC-suojakerroksen.

Pääominaisuudet:

1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys:

hapettumisenkestävyys on edelleen erittäin hyvä, kun lämpötila on jopa 1600 C.

2. Korkea puhtaus: valmistettu kemiallisella höyrysaostuksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.

3. Eroosionkestävyys: korkea kovuus, kompakti pinta, hienojakoisia hiukkasia.

4. Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot

SiC-CVD-ominaisuudet
Kristallirakenne	FCC p-vaihe
Tiheys	g/cm³	3.21
Kovuus	Vickersin kovuus	2500
Raekoko	μm	2~10
Kemiallinen puhtaus	%	99,99995
Lämpökapasiteetti	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimaatiolämpötila	℃	2700
Feleksuaalinen voima	MPa (RT 4-piste)	415
Youngin Modulus	Gpa (4 pt bend, 1300 ℃)	430
Lämpölaajeneminen (CTE)	10-6K-1	4.5
Lämmönjohtavuus	(W/mK)	300