CVD-pinnoitettu cc-komposiittitanko, piikarbidi-hiili-hiili-komposiittitanko, Sic-pinnoitettu cc-komposiittitanko

Lyhyt kuvaus:


Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuotteen kuvaus

TheCVD SiC pinnoiteCC komposiittitanko,Piikarbidi-hiili-hiilikomposiittitanko, SiC Coated CC-komposiittitanko vet-chinasta yhdistää ainutlaatuiset ominaisuudethiili-hiili (CC) komposiititsuojan kanssaCVD SiC (Silicon Carbide) -pinnoite. Tämä edistyksellinen sauva on suunniteltu korkean suorituskyvyn sovelluksiin, jotka vaativat erinomaista lämpöstabiilisuutta, mekaanista lujuutta ja kemiallista kestävyyttä. Hiili-hiiliydin tarjoaa erinomaiset kestävyyden ja keveyden ominaisuudet, kun taas SiC-pinnoite parantaa kulutuskestävyyttä, hapettumista ja korkeita lämpötiloja.

CVD SiC -pinnoite tarjoaa vankan suojan, jonka ansiosta sauva kestää äärimmäisiä olosuhteita, mikä tekee siitä ihanteellisen puolijohteiden valmistukseen, ilmailu- ja teollisuusprosesseihin. vet-china varmistaa, ettäCVD SiC pinnoiteCC-komposiittitanko kestää yli 1600 °C lämpötiloja, mikä tarjoaa luotettavuuden ympäristöissä, jotka vaativat sekä tarkkuutta että pitkäikäisyyttä.

Vet-china -komposiittivapa on suunniteltu toimimaan haastavimmissa olosuhteissa, mikä varmistaa vakauden ja pidentää komponenttien käyttöikää vaativilla aloilla. CVD SiC -pinnoitteen ja CC-komposiittirakenteen yhdistelmä tuottaa tuotteen, joka ei ole vain kevyt, vaan myös poikkeuksellisen vahva ja kulutusta kestävä.

 SiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnan MOCVD-suskeptoreissa

Pääominaisuudet:

1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys:

hapettumisenkestävyys on edelleen erittäin hyvä, kun lämpötila on jopa 1600 C.

2. Korkea puhtaus: valmistettu kemiallisella höyrysaostuksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.

3. Eroosionkestävyys: korkea kovuus, kompakti pinta, hienojakoisia hiukkasia.

4. Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.

 

CVD-SIC-pinnoitteiden tärkeimmät tekniset tiedot:

SiC-CVD

Tiheys

(g/cc)

3.21

Taivutusvoima

(Mpa)

470

Lämpölaajeneminen

(10-6/K)

4

Lämmönjohtavuus

(W/mK)

300

Yksityiskohtaiset kuvat

SiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnan MOCVD-suskeptoreissaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnan MOCVD-suskeptoreissaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnan MOCVD-suskeptoreissaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnan MOCVD-suskeptoreissaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnan MOCVD-suskeptoreissa

Yrityksen tiedot

111

Tehdaslaitteet

222

Varasto

333

Sertifikaatit

Sertifikaatit 22

 


  • Edellinen:
  • Seuraavaksi:

  • WhatsApp Online Chat!