تامین کنندگان برتر کاربید سیلیکون خاکستری سیاه و سفید Sic Carborundum چین خلوص بالا

توضیحات کوتاه:


جزئیات محصول

برچسب های محصول

ما می دانیم که تنها در صورتی پیشرفت می کنیم که بتوانیم رقابت قیمت و کیفیت ترکیبی خود را تضمین کنیم که همزمان برای تامین کنندگان برتر کاربید سیلیکون سیاه خاکستری سیاه و سفید Sic Carborundum چین خلوص بالا، ما از مشتریان جدید و قبلی از همه جنبه های زندگی استقبال می کنیم تا با ما صحبت کنند. روابط سازمانی آینده قابل پیش بینی و دستیابی به دستاوردهای متقابل!
ما می دانیم که تنها در صورتی پیشرفت می کنیم که بتوانیم رقابت ترکیبی قیمت و کیفیت را به طور همزمان تضمین کنیم.مواد پوشش چین, دی اکسید تیتانیوم، شرکت ما روحیه "نوآوری، هماهنگی، کار تیمی و اشتراک گذاری، مسیرها، پیشرفت عملی" را حفظ می کند. به ما فرصت بدهید و ما توانایی خود را ثابت می کنیم. با کمک شما عزیزان، ما بر این باوریم که می توانیم آینده ای روشن را در کنار هم بسازیم.

توضیحات محصول

کامپوزیت های کربن / کربن(از این پس "C/C یا CFC”) نوعی ماده کامپوزیتی است که بر پایه کربن است و توسط فیبر کربن و محصولات آن (پریفرم فیبر کربن) تقویت می شود. هم اینرسی کربن و هم استحکام بالای فیبر کربن را دارد. دارای خواص مکانیکی خوب، مقاومت در برابر حرارت، مقاومت در برابر خوردگی، میرایی اصطکاک و ویژگی های هدایت حرارتی و الکتریکی است.

CVD-SiCپوشش دارای ویژگی های ساختار یکنواخت، مواد فشرده، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون، خلوص بالا، مقاومت اسید و قلیایی و معرف آلی، با خواص فیزیکی و شیمیایی پایدار است.

در مقایسه با مواد گرافیت با خلوص بالا، گرافیت در دمای 400 درجه سانتیگراد شروع به اکسید شدن می کند که باعث از بین رفتن پودر در اثر اکسیداسیون و در نتیجه آلودگی محیطی دستگاه های جانبی و محفظه های خلاء و افزایش ناخالصی های محیط با خلوص بالا می شود.

با این حال، پوشش SiC می تواند پایداری فیزیکی و شیمیایی را در 1600 درجه حفظ کند، به طور گسترده ای در صنعت مدرن، به ویژه در صنعت نیمه هادی ها استفاده می شود.

شرکت ما خدمات فرآیند پوشش SiC را به روش CVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و سایر مواد ارائه می‌کند، به طوری که گازهای ویژه حاوی کربن و سیلیکون در دمای بالا واکنش می‌دهند تا مولکول‌های SiC با خلوص بالا، مولکول‌های رسوب‌شده بر روی سطح مواد پوشش‌داده‌شده، به دست آید. تشکیل لایه محافظ SIC SIC تشکیل شده محکم به پایه گرافیت متصل می شود و به پایه گرافیت خواص ویژه ای می بخشد، بنابراین سطح گرافیت را فشرده، بدون تخلخل، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر اکسیداسیون می کند.

 پردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیت

ویژگی های اصلی:

1. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:

مقاومت در برابر اکسیداسیون زمانی که درجه حرارت به 1600 درجه سانتیگراد می رسد هنوز بسیار خوب است.

2. خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی تحت شرایط کلر در دمای بالا.

3. مقاومت در برابر فرسایش: سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.

4. مقاومت در برابر خوردگی: اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی.

 

مشخصات اصلی پوشش های CVD-SIC:

SiC-CVD

تراکم

(g/cc)

3.21

استحکام خمشی

(Mpa)

470

انبساط حرارتی

(10-6/K)

4

هدایت حرارتی

(W/mK)

300

تصاویر تفصیلی

پردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیت

اطلاعات شرکت

111

تجهیزات کارخانه

222

انبار

333

گواهینامه ها

گواهینامه ها 22

 


  • قبلی:
  • بعدی:

  • چت آنلاین واتس اپ!