پوشش SiC گرافیت MOCVD حامل ویفر، گیرنده گرافیت برایSiC Epitaxy,
کربن گیرنده ها را تامین می کند, گیرنده های اپیتاکسی گرافیت, بسترهای پشتیبانی گرافیت, گیرنده MOCVD, SiC Epitaxy, گیرنده های ویفری,

مزایای ویژه گیره های گرافیت با پوشش SiC ما شامل خلوص بسیار بالا، پوشش همگن و عمر مفید عالی است. آنها همچنین دارای مقاومت شیمیایی بالا و خواص پایداری حرارتی هستند.

پوشش SiC زیرلایه گرافیت برای کاربردهای نیمه هادی، قطعه ای با خلوص برتر و مقاومت در برابر اتمسفر اکسید کننده تولید می کند.
CVD SiC یا CVI SiC برای گرافیت قطعات طراحی ساده یا پیچیده اعمال می شود. پوشش را می توان در ضخامت های مختلف و برای قطعات بسیار بزرگ اعمال کرد.

ویژگی ها:
· مقاومت در برابر شوک حرارتی عالی
· مقاومت در برابر شوک فیزیکی عالی
· مقاومت شیمیایی عالی
· خلوص فوق العاده بالا
· در دسترس بودن در شکل پیچیده
· قابل استفاده تحت اتمسفر اکسید کننده

کاربرد:

خواص معمولی مواد پایه گرافیت:

کربن گیرنده ها را تامین می کندو اجزای گرافیت برای همه راکتورهای اپیتاکسی فعلی. مجموعه ما شامل گیرنده‌های بشکه‌ای برای واحدهای کاربردی و LPE، گیرنده‌های پنکیک برای واحدهای LPE، CSD، و جمینی، و گیرنده‌های تک ویفری برای واحدهای کاربردی و ASM است. با ترکیب مشارکت‌های قوی با OEM‌های پیشرو، تخصص مواد و دانش ساخت، SGL. طراحی بهینه را برای برنامه شما ارائه می دهد.