Sic Ceramic Target Silicon Carbide Sputtering Target for Coating, Sic Rod, Silicone Target for Engineering Engineering

توضیحات کوتاه:


جزئیات محصول

برچسب های محصول

با پایبندی به تئوری "کیفیت، خدمات، عملکرد و رشد"، ما اعتماد و ستایش را از خریداران داخلی و جهانی برای گواهی IOS چین 99.5٪ دریافت کرده ایم.Sic Ceramic Targetهدف سیلیکون کاربید کندوپاش برای پوشش، اهداف اصلی ما ارائه به مشتریان خود در سراسر جهان با کیفیت خوب، قیمت رقابتی، تحویل راضی و خدمات عالی است.
با پایبندی به تئوری "کیفیت، خدمات، عملکرد و رشد"، ما اعتماد و تمجید از خریداران داخلی و جهانی را دریافت کرده ایم.هدف کندوپاش کاربید سیلیکون چین, Sic Ceramic Target، ما اکنون یک سیستم کنترل کیفیت دقیق و کامل داریم که تضمین می کند هر محصول می تواند نیازهای کیفیت مشتریان را برآورده کند. علاوه بر این، تمام اقلام ما قبل از حمل و نقل به شدت بازرسی شده اند.

توضیحات محصول

کامپوزیت های کربن / کربن(از این پس "C/C یا CFC”) نوعی ماده کامپوزیتی است که بر پایه کربن است و توسط فیبر کربن و محصولات آن (پریفرم فیبر کربن) تقویت می شود. هم اینرسی کربن و هم استحکام بالای فیبر کربن را دارد. دارای خواص مکانیکی خوب، مقاومت در برابر حرارت، مقاومت در برابر خوردگی، میرایی اصطکاک و ویژگی های هدایت حرارتی و الکتریکی است.

CVD-SiCپوشش دارای ویژگی های ساختار یکنواخت، مواد فشرده، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون، خلوص بالا، مقاومت اسید و قلیایی و معرف آلی، با خواص فیزیکی و شیمیایی پایدار است.

در مقایسه با مواد گرافیت با خلوص بالا، گرافیت در دمای 400 درجه سانتیگراد شروع به اکسید شدن می کند که باعث از بین رفتن پودر در اثر اکسیداسیون و در نتیجه آلودگی محیطی دستگاه های جانبی و محفظه های خلاء و افزایش ناخالصی های محیط با خلوص بالا می شود.

با این حال، پوشش SiC می تواند پایداری فیزیکی و شیمیایی را در 1600 درجه حفظ کند، به طور گسترده ای در صنعت مدرن، به ویژه در صنعت نیمه هادی ها استفاده می شود.

شرکت ما خدمات فرآیند پوشش SiC را به روش CVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و سایر مواد ارائه می‌کند، به طوری که گازهای ویژه حاوی کربن و سیلیکون در دمای بالا واکنش می‌دهند تا مولکول‌های SiC با خلوص بالا، مولکول‌های رسوب‌شده بر روی سطح مواد پوشش‌داده‌شده، به دست آید. تشکیل لایه محافظ SIC SIC تشکیل شده محکم به پایه گرافیت متصل می شود و به پایه گرافیت خواص ویژه ای می بخشد، بنابراین سطح گرافیت را فشرده، بدون تخلخل، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر اکسیداسیون می کند.

 پردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیت

ویژگی های اصلی:

1. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:

هنگامی که درجه حرارت تا 1600 درجه سانتیگراد است، مقاومت در برابر اکسیداسیون هنوز بسیار خوب است.

2. خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی تحت شرایط کلر در دمای بالا.

3. مقاومت در برابر فرسایش: سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.

4. مقاومت در برابر خوردگی: اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی.

 

مشخصات اصلی پوشش های CVD-SIC:

SiC-CVD

تراکم

(g/cc)

3.21

استحکام خمشی

(Mpa)

470

انبساط حرارتی

(10-6/K)

4

هدایت حرارتی

(W/mK)

300

تصاویر تفصیلی

پردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیتپردازش پوشش SiC بر روی گیرنده های MOCVD سطح گرافیت

اطلاعات شرکت

111

تجهیزات کارخانه

222

انبار

333

گواهینامه ها

گواهینامه ها 22

 


  • قبلی:
  • بعدی:

  • چت آنلاین واتس اپ!