CVD-SiCپوشش دارای ویژگی های ساختار یکنواخت، مواد فشرده، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون، خلوص بالا، مقاومت اسید و قلیایی و معرف آلی، با خواص فیزیکی و شیمیایی پایدار است.

در مقایسه با مواد گرافیت با خلوص بالا، گرافیت در دمای 400 درجه سانتیگراد شروع به اکسید شدن می کند که باعث از بین رفتن پودر در اثر اکسیداسیون و در نتیجه آلودگی محیطی دستگاه های جانبی و محفظه های خلاء و افزایش ناخالصی های محیط با خلوص بالا می شود.

با این حال، پوشش SiC می تواند پایداری فیزیکی و شیمیایی را در 1600 درجه حفظ کند، به طور گسترده ای در صنعت مدرن، به ویژه در صنعت نیمه هادی ها استفاده می شود.

شرکت ما خدمات فرآیند پوشش SiC را به روش CVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و سایر مواد ارائه می‌کند، به طوری که گازهای ویژه حاوی کربن و سیلیکون در دمای بالا واکنش می‌دهند تا مولکول‌های SiC با خلوص بالا، مولکول‌های رسوب‌شده بر روی سطح مواد پوشش‌داده‌شده، به دست آید. تشکیل لایه محافظ SIC SIC تشکیل شده محکم به پایه گرافیت متصل می شود و به پایه گرافیت خواص ویژه ای می بخشد، بنابراین سطح گرافیت را فشرده، بدون تخلخل، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر اکسیداسیون می کند.

ویژگی های اصلی:

1. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:

مقاومت در برابر اکسیداسیون زمانی که درجه حرارت به 1600 درجه سانتیگراد می رسد هنوز بسیار خوب است.

2. خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی تحت شرایط کلر در دمای بالا.

3. مقاومت در برابر فرسایش: سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.

4. مقاومت در برابر خوردگی: اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی.

مشخصات اصلی پوشش های CVD-SIC: