2022 MOCVD Susceptor با کیفیت بالا خرید آنلاین در چین، گیره اپیتاکسی Sic Graphite

گیرنده MOCVD 2022 با کیفیت بالا خرید آنلاین در چین، گیره های اپیتاکسی Sic Graphite تصویر ویژه

توضیحات کوتاه:

پوشش SiC زیرلایه گرافیت برای کاربردهای نیمه هادی، قطعه ای با خلوص برتر و مقاومت در برابر اتمسفر اکسید کننده تولید می کند. CVD SiC یا CVI SiC برای گرافیت قطعات طراحی ساده یا پیچیده اعمال می شود. پوشش را می توان در ضخامت های مختلف و برای قطعات بسیار بزرگ اعمال کرد.

محل مبدا:ژجیانگ، چین (سرزمین اصلی)

شماره مدل:شماره مدل:

ترکیب شیمیایی:گرافیت با پوشش SiC

استحکام خمشی:470 مگاپاسکال

هدایت حرارتی:300 W/mK

کیفیت:کامل

عملکرد:CVD-SiC

کاربرد:نیمه هادی / فتوولتائیک

تراکم:3.21 گرم بر سی سی

انبساط حرارتی:4 10-6/K

خاکستر: <5ppm

نمونه:در دسترس است

کد HS:6903100000

برای ما ایمیل بفرستید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب های محصول

2022 MOCVD Susceptor با کیفیت بالا خرید آنلاین در چین، گیره اپیتاکسی Sic Graphite،
بسترهای پشتیبانی گرافیت, گیرنده های گرافیت, گیرنده های گرافیت برای اپیتاکسی SiC, گیرنده های گرافیت برای سیلیکون, گیرنده های گرافیت با پوشش کاربید سیلیکون, ابزار گرافیت در سینی های نیمه هادی گرافیت گیرنده های ویفر گرافیتی با خلوص بالا ابزارهای گرافیتی نوری, سکوهای ماهواره ای برای MOCVD, پلت فرم های ماهواره ای گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD,

مزایای ویژه گیره های گرافیت با پوشش SiC ما شامل خلوص بسیار بالا، پوشش همگن و عمر مفید عالی است. آنها همچنین دارای مقاومت شیمیایی بالا و خواص پایداری حرارتی هستند.

پوشش SiC زیرلایه گرافیت برای کاربردهای نیمه هادی، قطعه ای با خلوص برتر و مقاومت در برابر اتمسفر اکسید کننده تولید می کند.
CVD SiC یا CVI SiC برای گرافیت قطعات طراحی ساده یا پیچیده اعمال می شود. پوشش را می توان در ضخامت های مختلف و برای قطعات بسیار بزرگ اعمال کرد.

پوشش SiC/پوششدار MOCVD Susceptor

ویژگی ها:
· مقاومت در برابر شوک حرارتی عالی
· مقاومت در برابر شوک فیزیکی عالی
· مقاومت شیمیایی عالی
· خلوص فوق العاده بالا
· در دسترس بودن در شکل پیچیده
· قابل استفاده تحت اتمسفر اکسید کننده

خواص معمولی مواد پایه گرافیت:

چگالی ظاهری:	1.85 گرم بر سانتی متر مکعب
مقاومت الکتریکی:	11 μΩm
قدرت خمشی:	49 مگاپاسکال (500 کیلوگرم بر سانتی‌متر مربع)
سختی ساحل:	58
خاکستر:	<5ppm
هدایت حرارتی:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

کربن گیرنده ها و اجزای گرافیت را برای همه راکتورهای اپیتاکسی فعلی تامین می کند. مجموعه ما شامل گیرنده‌های بشکه‌ای برای واحدهای کاربردی و LPE، گیرنده‌های پنکیک برای واحدهای LPE، CSD، و جمینی، و گیرنده‌های تک ویفری برای واحدهای کاربردی و ASM است. با ترکیب مشارکت‌های قوی با OEM‌های پیشرو، تخصص مواد و دانش ساخت، SGL. طراحی بهینه را برای برنامه شما ارائه می دهد.