Silizio-karburoa (SiC) oblea epitaxiala

Deskribapen laburra:

Silizio Karburoa (SiC) Epitaxial Wafer VET Energy-ren errendimendu handiko substratua da hurrengo belaunaldiko potentzia eta RF gailuen eskakizun zorrotzak asetzeko diseinatuta. VET Energy-k ostia epitaxial bakoitza zorrotz fabrikatzen dela ziurtatzen du eroankortasun termikoa, matxura-tentsioa eta garraiolarien mugikortasuna eskaintzeko, ibilgailu elektrikoak, 5G komunikazioa eta eraginkortasun handiko potentzia elektronika bezalako aplikazioetarako aproposa da.


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

VET Energy silizio karburoa (SiC) ostia epitaxiala errendimendu handiko banda zabaleko material erdieroalea da, tenperatura altuko erresistentzia, maiztasun handiko eta potentzia handiko ezaugarriak dituena. Substratu ezin hobea da potentziako gailu elektronikoen belaunaldi berrietarako. VET Energyk MOCVD epitaxial teknologia aurreratua erabiltzen du SiC substratuetan kalitate handiko SiC epitaxia geruza hazteko, oblearen errendimendu eta koherentzia bikaina bermatuz.

Gure Silizio Karburoa (SiC) Epitaxial Wafer-ek bateragarritasun bikaina eskaintzen du hainbat material erdieroalerekin, besteak beste, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer eta SiN Substrate. Bere geruza epitaxial sendoarekin, prozesu aurreratuak onartzen ditu, hala nola Epi Wafer hazkundea eta Galio oxidoa Ga2O3 eta AlN Wafer bezalako materialekin integratzea, teknologia ezberdinetan erabilera anitzekoa bermatuz. Industria-estandar kasetak maneiatzeko sistemekin bateragarria izateko diseinatua, erdieroaleen fabrikazio-inguruneetan eragiketa eraginkorrak eta errazak bermatzen ditu.

VET Energy-ren produktu-lerroa ez da SiC epitaxial obleetara mugatzen. Substratu erdieroaleen material sorta zabala ere eskaintzen dugu, besteak beste, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etab. Horrez gain, banda zabaleko material erdieroale berriak ere aktiboki garatzen ari gara, hala nola Galio oxidoa Ga2O3 eta AlN. Wafer, etorkizuneko potentzia elektronikaren industriak errendimendu handiagoko gailuen eskaerari erantzuteko.

第6页-36
第6页-35

OTILA-ZEHAZTAPENAK

*n-Pm=n motako Pm-kalifikazioa, n-Ps=n motako Ps-maila, Sl=erdi isolatzailea

Elementua

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Branka (GF3YFCD)-Balio absolutua

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Ostia Ertza

Alakatuz

AZALERAKO AKABERA

*n-Pm=n motako Pm-kalifikazioa, n-Ps=n motako Ps-maila, Sl=erdi isolatzailea

Elementua

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Azalera akabera

Alde bikoitzeko polanidura optikoa, Si- Face CMP

AzaleraZurtasuna

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Ertz Txipak

Ez dago onartzen (luzera eta zabalera ≥0,5 mm)

Koskak

Ez dago baimenduta

Marradurak (Si-Face)

Qty.≤5, metatua
Length≤0,5 × oblearen diametroa

Qty.≤5, metatua
Length≤0,5 × oblearen diametroa

Qty.≤5, metatua
Length≤0,5 × oblearen diametroa

Pitzadurak

Ez dago baimenduta

Ertz-bazterketa

3 mm

tech_1_2_tamaina
下载 (2)

  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • WhatsApp Online Txata!