SiC estalitako grafitoa Halfmoon pieza silizio karburo epitaxial ekipamenduetarako

SiC estalitako grafitoa Halfmoon zatia silizio-karburoko ekipamendu epitaxialerako irudia

Deskribapen laburra:

Produktuaren sarrera eta erabilera: kuartzozko hodi konektatuta, gasa pasa dezake erretiluaren oinarriaren biraketa gidatzeko, tenperatura kontrolatzeko

Produktuaren gailuaren kokapena: erreakzio-ganberan, ez oblearekin zuzeneko kontaktuan

Behean dauden produktu nagusiak: energia-gailuak

Terminalen merkatu nagusia: energia berriko ibilgailuak

Bidali mezu elektronikoa Deskargatu PDF moduan

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

SiC estalitako grafitoa Halfmoon Partis a giltzaErdieroaleen fabrikazio prozesuetan erabiltzen den osagaia, batez ere SiC epitaxial ekipoetarako.Gure patentatutako teknologia erabiltzen dugu erdi ilargia egitekooso garbitasun handia,onaestaldurauniformetasunaeta zerbitzu-bizitza bikaina, baitaerresistentzia kimiko handia eta egonkortasun termikoko propietateak.

LH Energia da duCVD estaldura duten grafito eta silizio karburozko produktu pertsonalizatuen benetako fabrikatzailea,hornitu dezakehainbaterdieroale eta industria fotovoltaikorako pieza pertsonalizatuak. OGure talde teknikoa etxeko ikerketa-erakunde gorenetatik dator, material material profesionalagoak eman ditzakezuretzat.

Prozesu aurreratuak etengabe garatzen ditugu material aurreratuagoak eskaintzeko,etapatentatutako teknologia esklusibo bat landu dute, estalduraren eta substratuaren arteko lotura estuagoa eta askatzeko joera gutxiago izan dezakeena.

FGure produktuen ezaugarriak:

1. Tenperatura handiko oxidazio erresistentzia 1700 arte℃.
2. Garbitasun handiko etauniformetasun termikoa
3. Korrosioarekiko erresistentzia bikaina: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.
4. Gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.
5. Zerbitzu-bizitza luzeagoa eta iraunkorragoa

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ren oinarrizko propietate fisikoakestaldura
性质 / Jabetza	典型数值 / Balio Tipikoa
晶体结构 / Kristalezko Egitura	FCC β fasea多晶，主要为（111）取向
密度 / Dentsitatea	3,21 g/cm³
硬度 / Gogortasuna	2500 维氏硬度（500g karga）
晶粒大小 / Ale Tamaina	2~10μm
纯度 / Garbitasun kimikoa	%99,99995
热容 / Bero Ahalmena	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimazio-tenperatura	2700 ℃
抗弯强度 / Flexur Indarra	415 MPa RT 4 puntu
杨氏模量 / Gazteen Modulua	430 Gpa 4pt bihurgunea, 1300 ℃
导热系数 / ThermalEroankortasuna	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Hedapen termikoa (CTE)	4,5×10^-6K^-1