Meie missiooniks oleks kasvada kõrgtehnoloogiliste digitaal- ja sideseadmete uuenduslikuks pakkujaks, pakkudes Quots for China grafiitkuulventiilidele kuumtöötluseks eeliseid, maailmatasemel tootmist ja remondivõimalusi. Meie eesmärk on luua võit -võida olukord meie klientidega. Usume, et oleme teie parim valik. „Eelkõige maine, eelkõige kliendid. "Ootan teie päringut.
Meie missiooniks on kasvada kõrgtehnoloogiliste digitaal- ja sideseadmete uuenduslikuks pakkujaks, pakkudes lisastiili, maailmatasemel tootmis- ja remondivõimalusi.Hiina grafiittiigel, Mineraalid ja materjalid, Järgime alati ausust, vastastikust kasu, ühist arengut, pärast aastatepikkust arengut ja kõigi töötajate väsimatuid jõupingutusi, nüüd on meil täiuslik ekspordisüsteem, mitmekesised logistikalahendused, igakülgne klientide saatmine, õhutransport, rahvusvahelised ekspress- ja logistikateenused . Töötage oma klientidele välja ühtne hankimisplatvorm!
Süsinik / süsinik komposiidid(edaspidi "C / C või CFC") on teatud tüüpi komposiitmaterjal, mis põhineb süsinikul ja mida tugevdavad süsinikkiud ja selle tooted (süsinikkiust eelvorm). Sellel on nii süsiniku inerts kui ka süsinikkiu kõrge tugevus. Sellel on head mehaanilised omadused, kuumakindlus, korrosioonikindlus, hõõrdumise summutus ning soojus- ja elektrijuhtivusomadused
CVD-SiCKatte omadused on ühtlane struktuur, kompaktne materjal, kõrge temperatuurikindlus, oksüdatsioonikindlus, kõrge puhtusaste, happe- ja leelisekindlus ning orgaaniline reaktiiv, millel on stabiilsed füüsikalised ja keemilised omadused.
Võrreldes kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalidega hakkab grafiit oksüdeeruma 400 C juures, mis põhjustab oksüdatsiooni tõttu pulbri kadu, mille tulemuseks on välisseadmete ja vaakumkambrite keskkonnareostus ning kõrge puhtusastmega keskkonna lisandite hulk.
Kuid SiC kate suudab säilitada füüsikalist ja keemilist stabiilsust 1600 kraadi juures, seda kasutatakse laialdaselt kaasaegses tööstuses, eriti pooljuhtide tööstuses.
Meie ettevõte pakub CVD-meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale ränikarbiidi katmise protsessiteenuseid, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, moodustades SIC kaitsekihi. Moodustunud SIC on tugevalt seotud grafiitpõhjaga, andes grafiidialusele erilised omadused, muutes grafiidi pinna kompaktseks, poorsusevabaks, vastupidavaks kõrgele temperatuurile, korrosioonikindlusele ja oksüdatsioonikindlusele.
Peamised omadused:
1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:
oksüdatsioonikindlus on ikka väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 C.
2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.
CVD-SIC katete peamised spetsifikatsioonid:
| SiC-CVD | ||
| Tihedus | (g/cc)
| 3.21 |
| Paindetugevus | (Mpa)
| 470 |
| Soojuspaisumine | (10-6/K) | 4
|
| Soojusjuhtivus | (W/mK) | 300
|
