Keskendume ka asjade haldamise ja kvaliteedikontrolli programmi täiustamisele, et saaksime säilitada fantastilise eelise ägedas konkurentsis OEM-varustuse Hiina Aln Ain jaoks.AlumiiniumnitriidkeraamikaKõrge isolatsiooniga on meil nüüd neli juhtivat lahendust. Meie tooteid müüakse kõige tõhusamalt mitte ainult Hiina turul, vaid ka rahvusvahelises tööstuses.
Keskendume ka asjade haldamise ja kvaliteedikontrolli programmi täiustamisele, et suudaksime hoida fantastilist eelist ägeda konkurentsiga ettevõttes.Alumiiniumnitriidkeraamika, Hiina alumiiniumnitriid, Meie tooteid eksporditakse üle maailma. Meie kliendid on alati rahul meie usaldusväärse kvaliteedi, kliendile orienteeritud teenuste ja konkurentsivõimeliste hindadega. Meie missiooniks on "teenida jätkuvalt teie lojaalsust, pühendades oma jõupingutused meie toodete ja teenuste pidevale täiustamisele, et tagada meie lõppkasutajate, klientide, töötajate, tarnijate ja ülemaailmsete kogukondade rahulolu, kus me koostööd teeme".
Süsinik / süsinik komposiidid(edaspidi "C / C või CFC") on teatud tüüpi komposiitmaterjal, mis põhineb süsinikul ja mida tugevdavad süsinikkiud ja selle tooted (süsinikkiust eelvorm). Sellel on nii süsiniku inerts kui ka süsinikkiu kõrge tugevus. Sellel on head mehaanilised omadused, kuumakindlus, korrosioonikindlus, hõõrdumise summutus ning soojus- ja elektrijuhtivusomadused
CVD-SiCKatte omadused on ühtlane struktuur, kompaktne materjal, kõrge temperatuurikindlus, oksüdatsioonikindlus, kõrge puhtusaste, happe- ja leelisekindlus ning orgaaniline reaktiiv, millel on stabiilsed füüsikalised ja keemilised omadused.
Võrreldes kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalidega hakkab grafiit oksüdeeruma 400 C juures, mis põhjustab oksüdatsiooni tõttu pulbri kadu, mille tulemuseks on välisseadmete ja vaakumkambrite keskkonnareostus ning kõrge puhtusastmega keskkonna lisandite hulk.
Kuid SiC kate suudab säilitada füüsikalist ja keemilist stabiilsust 1600 kraadi juures, seda kasutatakse laialdaselt kaasaegses tööstuses, eriti pooljuhtide tööstuses.
Meie ettevõte pakub CVD-meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale ränikarbiidi katmise protsessiteenuseid, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, moodustades SIC kaitsekihi. Moodustunud SIC on tugevalt seotud grafiitpõhjaga, andes grafiidialusele erilised omadused, muutes grafiidi pinna kompaktseks, poorsusevabaks, vastupidavaks kõrgele temperatuurile, korrosioonikindlusele ja oksüdatsioonikindlusele.
Peamised omadused:
1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:
oksüdatsioonikindlus on ikka väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 C.
2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.
CVD-SIC katete peamised spetsifikatsioonid:
| SiC-CVD | ||
| Tihedus | (g/cc)
| 3.21 |
| Paindetugevus | (Mpa)
| 470 |
| Soojuspaisumine | (10-6/K) | 4
|
| Soojusjuhtivus | (W/mK) | 300
|
