Uudised

Kuidas valmistatakse SiC mikropulbrit?
admin poolt 24-05-13
SiC monokristall on IV-IV rühma ühendpooljuhtmaterjal, mis koosneb kahest elemendist, Si ja C, stöhhiomeetrilises suhtes 1:1. Selle kõvadus on teemandi järel teine. Ränioksiidi süsiniku redutseerimise meetod SiC valmistamiseks põhineb peamiselt järgmisel keemilise reaktsiooni valemil ...
Loe edasi
Kuidas aitavad epitaksiaalsed kihid pooljuhtseadmeid?
admin poolt 24-05-13
Nime epitaksiaalvahvel päritolu Esmalt populariseerime väikest kontseptsiooni: vahvlite valmistamine sisaldab kahte peamist seost: substraadi ettevalmistamine ja epitaksiaalne protsess. Substraadiks on pooljuht monokristallmaterjalist valmistatud vahvel. Substraat võib siseneda otse vahvlitootjasse...
Loe edasi
Sissejuhatus keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) õhukese kile sadestamise tehnoloogiasse
admin 24-05-06
Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on oluline õhukese kile sadestamise tehnoloogia, mida kasutatakse sageli erinevate funktsionaalsete kilede ja õhukesekihiliste materjalide valmistamiseks ning mida kasutatakse laialdaselt pooljuhtide tootmises ja muudes valdkondades. 1. CVD tööpõhimõte CVD protsessis kasutatakse gaasi lähteainet (üks või...
Loe edasi
Fotogalvaanilise pooljuhtide tööstuse musta kulla saladus: soov ja sõltuvus isostaatilisest grafiidist
admin 24-05-06
Isostaatiline grafiit on fotogalvaanikas ja pooljuhtides väga oluline materjal. Kodumaiste isostaatilise grafiidi ettevõtete kiire tõusuga on välismaiste ettevõtete monopol Hiinas murtud. Pideva sõltumatu uurimis- ja arendustegevuse ning tehnoloogiliste läbimurretega on ...
Loe edasi
Grafiitpaatide põhiomaduste avalikustamine pooljuhtkeraamika tootmisel
admin poolt 24-04-22
Grafiitpaadid, tuntud ka kui grafiitpaadid, mängivad pooljuhtkeraamika valmistamise keerukates protsessides otsustavat rolli. Need spetsiaalsed anumad on pooljuhtplaatide usaldusväärsed kandjad kõrgel temperatuuril töötlemisel, tagades täpse ja kontrollitud töötlemise. Koos ...
Loe edasi
Üksikasjalikult selgitatakse ahju toruseadmete sisemist struktuuri
admin poolt 24-04-22
Nagu ülal näidatud, on tüüpiline esimene pool: ▪ Kütteelement (küttespiraal): asub ahju toru ümber, tavaliselt valmistatud takistusjuhtmetest, mida kasutatakse ahju toru sisemuse soojendamiseks. ▪ Kvartstoru: kuuma oksüdatsiooniahju südamik, mis on valmistatud kõrge puhtusastmega kvartsist, mis talub h...
Loe edasi
SiC substraadi ja epitaksiaalsete materjalide mõju MOSFET-seadme omadustele
admin poolt 24-04-16
Kolmnurkne defekt Kolmnurksed defektid on ränikarbiidi epitaksiaalsete kihtide kõige surmavamad morfoloogilised defektid. Suur hulk kirjanduse aruandeid on näidanud, et kolmnurksete defektide teke on seotud 3C kristallivormiga. Erinevate kasvumehhanismide tõttu on aga paljude...
Loe edasi
SiC ränikarbiidi monokristallide kasv
admin poolt 24-04-16
Alates selle avastamisest on ränikarbiid pälvinud laialdast tähelepanu. Ränikarbiid koosneb pooltest Si-aatomitest ja pooltest C-aatomitest, mis on ühendatud kovalentsete sidemetega elektronpaaride kaudu, mis jagavad sp3 hübriidorbitaale. Selle monokristalli põhistruktuuriüksuses on neli Si aatomit ...
Loe edasi
Grafiitvarraste VET erakordsed omadused
admin 24-04-08
Grafiit, süsiniku vorm, on tähelepanuväärne materjal, mis on tuntud oma ainulaadsete omaduste ja laia kasutusvõimaluse poolest. Eelkõige on grafiitvardad pälvinud märkimisväärset tunnustust oma erakordsete omaduste ja mitmekülgsuse poolest. Oma suurepärase soojusjuhtivusega, elektrijuhtivus...
Loe edasi