Recubrimiento de SiC recubierto deSustrato de grafito para semiconductores.,Recubrimiento de carburo de silicio,Susceptor MOCVD,
Sustrato de grafito para semiconductores., Susceptor MOCVD, Recubierto de SiC, Recubrimiento de SiC, Recubrimiento de carburo de silicio para semiconductores.,
El recubrimiento de SiC de sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza y resistencia superiores a la atmósfera oxidante.
CVD SiC o CVI SiC se aplica al grafito de piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y en piezas muy grandes.
Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante.
Propiedades típicas del material base de grafito:
Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistividad eléctrica: | 11 µΩm |
Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Dureza de la orilla: | 58 |
Ceniza: | <5 ppm |
Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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Q1: ¿Cuáles son sus precios?
Nuestros precios están sujetos a cambios según la oferta y otros factores del mercado. Le enviaremos una lista de precios actualizada después de que su empresa se comunique con nosotros para obtener más información.
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Sí, requerimos que todos los pedidos internacionales tengan una cantidad mínima de pedido continua.
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Para las muestras, el plazo de entrega es de aproximadamente 7 días. Para la producción en masa, el plazo de entrega es de 15 a 25 días después de recibir el pago del depósito. Los plazos de entrega entran en vigencia cuando hayamos recibido su depósito y tengamos su aprobación final para sus productos. En todos los casos intentaremos adaptarnos a sus necesidades. En la mayoría de los casos podemos hacerlo.
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