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¿Cuáles son los defectos de la capa epitaxial de carburo de silicio?
por administrador el 24-06-05
La tecnología central para el crecimiento de los materiales epitaxiales de SiC es, en primer lugar, la tecnología de control de defectos, especialmente para la tecnología de control de defectos que es propensa a fallas del dispositivo o degradación de la confiabilidad. El estudio del mecanismo de los defectos del sustrato que se extienden hacia la epi...
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Tecnología de crecimiento epitaxial y grano en pie oxidado-Ⅱ
por administrador el 24-05-30
2. Crecimiento epitaxial de película delgada El sustrato proporciona una capa de soporte físico o capa conductora para dispositivos de potencia de Ga2O3. La siguiente capa importante es la capa de canal o capa epitaxial utilizada para la resistencia de voltaje y el transporte de portadoras. Para aumentar el voltaje de ruptura y minimizar la con...
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Tecnología de crecimiento epitaxial y monocristal de óxido de galio
por administrador el 24-05-30
Los semiconductores de banda ancha (WBG) representados por carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) han recibido amplia atención. La gente tiene grandes expectativas sobre las perspectivas de aplicación del carburo de silicio en vehículos eléctricos y redes eléctricas, así como sobre las perspectivas de aplicación del galio...
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¿Cuáles son las barreras técnicas para el carburo de silicio?Ⅱ
por administrador el 24-05-22
Las dificultades técnicas para producir en masa de manera estable obleas de carburo de silicio de alta calidad con un rendimiento estable incluyen: 1) Dado que los cristales necesitan crecer en un ambiente sellado de alta temperatura por encima de 2000 °C, los requisitos de control de temperatura son extremadamente altos; 2) Dado que el carburo de silicio tiene...
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¿Cuáles son las barreras técnicas al carburo de silicio?
por administrador el 24-05-22
La primera generación de materiales semiconductores está representada por los tradicionales silicio (Si) y germanio (Ge), que son la base para la fabricación de circuitos integrados. Se utilizan ampliamente en transistores y detectores de bajo voltaje, baja frecuencia y baja potencia. Más del 90% de los productos de semiconductores...
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¿Cómo se fabrica el micropolvo de SiC?
por administrador el 24-05-13
El monocristal de SiC es un material semiconductor compuesto del Grupo IV-IV compuesto por dos elementos, Si y C, en una relación estequiométrica de 1:1. Su dureza es superada sólo por el diamante. El método de reducción de carbono del óxido de silicio para preparar SiC se basa principalmente en la siguiente fórmula de reacción química...
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¿Cómo ayudan las capas epitaxiales a los dispositivos semiconductores?
por administrador el 24-05-13
El origen del nombre oblea epitaxial Primero, popularicemos un pequeño concepto: la preparación de la oblea incluye dos vínculos principales: la preparación del sustrato y el proceso epitaxial. El sustrato es una oblea hecha de material semiconductor monocristalino. El sustrato puede ingresar directamente a la fábrica de obleas...
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Introducción a la tecnología de deposición de película delgada por deposición química de vapor (CVD)
por administrador el 24-05-06
La deposición química de vapor (CVD) es una importante tecnología de deposición de películas delgadas, que a menudo se usa para preparar diversas películas funcionales y materiales de capas delgadas, y se usa ampliamente en la fabricación de semiconductores y otros campos. 1. Principio de funcionamiento de CVD En el proceso CVD, un precursor de gas (uno o...
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El secreto del “oro negro” detrás de la industria de los semiconductores fotovoltaicos: el deseo y la dependencia del grafito isostático
por administrador el 24-05-06
El grafito isostático es un material muy importante en energía fotovoltaica y semiconductores. Con el rápido aumento de las empresas nacionales de grafito isostático, se ha roto el monopolio de las empresas extranjeras en China. Con investigación y desarrollo independientes continuos y avances tecnológicos, el...
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