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Tipos de grafito especial
por administrador el 24-06-17
El grafito especial es un material de grafito de alta pureza, alta densidad y alta resistencia y tiene una excelente resistencia a la corrosión, estabilidad a altas temperaturas y una gran conductividad eléctrica. Está hecho de grafito natural o artificial después de un tratamiento térmico a alta temperatura y un procesamiento a alta presión...
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Análisis de equipos de deposición de películas delgadas: principios y aplicaciones de los equipos PECVD/LPCVD/ALD
por administrador el 24-06-12
La deposición de película delgada consiste en recubrir una capa de película sobre el material del sustrato principal del semiconductor. Esta película puede estar hecha de diversos materiales, como compuesto aislante de dióxido de silicio, polisilicio semiconductor, cobre metálico, etc. El equipo utilizado para el recubrimiento se llama deposición de película delgada...
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Materiales importantes que determinan la calidad del crecimiento del silicio monocristalino – campo térmico
por administrador el 24-06-12
El proceso de crecimiento del silicio monocristalino se realiza íntegramente en el campo térmico. Un buen campo térmico favorece la mejora de la calidad de los cristales y tiene una mayor eficiencia de cristalización. El diseño del campo térmico determina en gran medida los cambios en los gradientes de temperatura...
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¿Cuáles son las dificultades técnicas del horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio?
por administrador el 24-06-07
El horno de crecimiento de cristales es el equipo principal para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Es similar al tradicional horno de crecimiento de cristales de grado silicio cristalino. La estructura del horno no es muy complicada. Se compone principalmente de cuerpo de horno, sistema de calefacción, mecanismo de transmisión de bobina...
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¿Cuáles son los defectos de la capa epitaxial de carburo de silicio?
por administrador el 24-06-05
La tecnología central para el crecimiento de los materiales epitaxiales de SiC es, en primer lugar, la tecnología de control de defectos, especialmente para la tecnología de control de defectos que es propensa a fallas del dispositivo o degradación de la confiabilidad. El estudio del mecanismo de los defectos del sustrato que se extienden hacia la epi...
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Tecnología de crecimiento epitaxial y grano en pie oxidado-Ⅱ
por administrador el 24-05-30
2. Crecimiento epitaxial de película delgada El sustrato proporciona una capa de soporte físico o capa conductora para dispositivos de potencia de Ga2O3. La siguiente capa importante es la capa de canal o capa epitaxial utilizada para la resistencia de voltaje y el transporte de portadoras. Para aumentar el voltaje de ruptura y minimizar la con...
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Tecnología de crecimiento epitaxial y monocristal de óxido de galio
por administrador el 24-05-30
Los semiconductores de banda ancha (WBG) representados por carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) han recibido amplia atención. La gente tiene grandes expectativas sobre las perspectivas de aplicación del carburo de silicio en vehículos eléctricos y redes eléctricas, así como sobre las perspectivas de aplicación del galio...
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¿Cuáles son las barreras técnicas para el carburo de silicio?Ⅱ
por administrador el 24-05-22
Las dificultades técnicas para producir en masa de manera estable obleas de carburo de silicio de alta calidad con un rendimiento estable incluyen: 1) Dado que los cristales necesitan crecer en un ambiente sellado de alta temperatura por encima de 2000 °C, los requisitos de control de temperatura son extremadamente altos; 2) Dado que el carburo de silicio tiene...
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¿Cuáles son las barreras técnicas al carburo de silicio?
por administrador el 24-05-22
La primera generación de materiales semiconductores está representada por los tradicionales silicio (Si) y germanio (Ge), que son la base para la fabricación de circuitos integrados. Se utilizan ampliamente en transistores y detectores de bajo voltaje, baja frecuencia y baja potencia. Más del 90% de los productos de semiconductores...
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