Portador de grabado ICP

Breve descripción:

Lugar de origen:Porcelana

Estructura cristalina:Fase FCCβ

Densidad:3,21 g/cm3;

Dureza :2500 Vickers;

Tamaño de grano:2~10 µm;

Pureza química:99,99995%;

Capacidad calorífica:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimación:2700 ℃;

Fuerza flexural:415 Mpa (RT de 4 puntos);

Módulo de Young:430 Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃);

Expansión Térmica (CTE):4,5 10-6K-1;

Conductividad térmica:300 (W/MK);

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Descripción del Producto

Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos. formando una capa protectora SIC.

Características principales:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.

2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J·kg-1·K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300