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Recubrimiento de SiC/recubierto de sustrato de grafito para semiconductores Los susceptores sostienen y calientan las obleas semiconductoras durante el procesamiento térmico. Un susceptor está hecho de un material que absorbe energía por inducción, conducción y/o radiación y calienta la oblea. Su resistencia al choque térmico, conductividad térmica y pureza son fundamentales para un procesamiento térmico rápido (RTP). El grafito recubierto de carburo de silicio, el carburo de silicio (SiC) y el silicio (Si) se utilizan comúnmente como susceptores dependiendo del entorno térmico y químico específico. Material ultrapuro PureSiC® CVD SiC y ClearCarbon™ que ofrece estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y durabilidad superiores. Descripción del Producto
El recubrimiento de SiC de sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con pureza y resistencia superiores a la atmósfera oxidante.
CVD SiC o CVI SiC se aplica al grafito de piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y en piezas muy grandes.
Las cerámicas técnicas son una opción natural para aplicaciones de procesamiento térmico de semiconductores, incluido RTP (procesamiento térmico rápido), Epi (epitaxial), difusión, oxidación y recocido. CoorsTek proporciona componentes de materiales avanzados diseñados específicamente para resistir choques térmicos con un rendimiento repetible, resistente y de alta pureza para altas temperaturas.
Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante.
solicitud:
Una oblea debe pasar por varios pasos antes de estar lista para su uso en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia del silicio, en la que las obleas se transportan sobre susceptores de grafito. Las propiedades y la calidad de los susceptores tienen un efecto crucial en la calidad de la capa epitaxial de la oblea.
Propiedades típicas del material base de grafito:
| Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistividad eléctrica: | 11 µΩm |
| Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza de la orilla: | 58 |
| Ceniza: | <5 ppm |
| Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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