Supraj Provizantoj Griza Nigra Silicon Carbide Sic Carborundum Ĉinio Alta Pureco

Mallonga Priskribo:


Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Ni scias, ke ni nur prosperas, se ni povas garantii nian kombinitan prezkonkurecon kaj kvaliton avantaĝan samtempe por Supraj Provizantoj Griza Nigra Silicia Karburo Sic Carborundum Ĉinio Alta Pureco, Ni bonvenigas novajn kaj antaŭajn klientojn el ĉiuj medioj de la vivo por paroli al ni por antaŭvideblaj estontaj organizaj rilatoj kaj akiri reciprokajn atingojn!
Ni scias, ke ni prosperas nur se ni povas garantii nian kombinitan prezkonkurecon kaj kvaliton avantaĝan samtempe porĈina Tega Materialo, Titania dioksido, Nia kompanio subtenas la spiriton de "novigo, harmonio, teama laboro kaj kundivido, vojoj, pragmata progreso". Donu al ni ŝancon kaj ni pruvos nian kapablon. Kun via afabla helpo, ni kredas, ke ni povas krei brilan estontecon kun vi kune.

Produkta Priskribo

Karbono/karbonaj kunmetaĵoj(ĉi-poste nomata "C/C aŭ CFC”) estas speco de kompozita materialo kiu estas bazita sur karbono kaj plifortigita per karbonfibro kaj ĝiaj produktoj (karbonfibra preformo). Ĝi havas kaj la inercion de karbono kaj la altan forton de karbonfibro. Ĝi havas bonajn mekanikajn trajtojn, varmegan reziston, korodan reziston, frotan malseketigon kaj termikajn kaj elektrajn konduktajn trajtojn.

CVD-SiCtegaĵo havas la karakterizaĵojn de unuforma strukturo, kompakta materialo, alta temperaturrezisto, oksidiĝa rezisto, alta pureco, acida kaj alkala rezisto kaj organika reakciilo, kun stabilaj fizikaj kaj kemiaj propraĵoj.

Kompare kun altpuraj grafitaj materialoj, grafito komencas oksidiĝi je 400C, kio kaŭzos perdon de pulvoro pro oxidado, rezultigante median poluadon al ekstercentraj aparatoj kaj malplenaj ĉambroj, kaj pliigos malpuraĵojn de altpura medio.

Tamen, SiC-tegaĵo povas konservi fizikan kaj kemian stabilecon je 1600 gradoj, Ĝi estas vaste uzata en moderna industrio, precipe en semikonduktaĵo-industrio.

Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon. La SIC formita estas firme ligita al la grafita bazo, donante al la grafita bazo specialajn proprietojn, tiel farante la surfacon de la grafito kompakta, Porosity-libera, alta temperatura rezisto, koroda rezisto kaj oxidada rezisto.

 SiC-tegpretigo sur grafitsurfacaj MOCVD-susceptoroj

Ĉefaj trajtoj:

1. Alta temperatura oksida rezisto:

la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1600 C.

2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub alta temperatura klorina kondiĉo.

3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.

4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.

 

Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵoj:

SiC-CVD

Denso

(g/cc)

3.21

Fleksa forto

(Mpa)

470

Termika ekspansio

(10-6/K)

4

Termika kondukteco

(W/mK)

300

Detalaj Bildoj

SiC-tegpretigo sur grafitsurfacaj MOCVD-susceptorojSiC-tegpretigo sur grafitsurfacaj MOCVD-susceptorojSiC-tegpretigo sur grafitsurfacaj MOCVD-susceptorojSiC-tegpretigo sur grafitsurfacaj MOCVD-susceptorojSiC-tegpretigo sur grafitsurfacaj MOCVD-susceptoroj

Kompanio Informo

111

Fabrikaj Ekipaĵoj

222

Stokejo

333

Atestoj

Atestoj 22

 


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • WhatsApp Enreta Babilejo!