LaSilicia Karburo Tegita Epitaksa FolioProvu Uzitan enEpitaxial Furnace Equipmentfarita en Ĉinio de Vet Energy, kiu estas unu el la fabrikistoj kaj provizantoj en Ĉinio.AĉetiSilicia Karburo Tegita Epitaksa FolioPleto Uzita En ĈinioEpitaxial Furnace Equipmentje malalta prezo de nia fabriko.Ni havas niajn proprajn markojn kaj ni ankaŭ subtenas amason.Se vi interesiĝas pri niaj produktoj, ni donos al vi rabatprezon.Bonvenon aĉeti rabatan produkton, kiu estas plej nova kaj altkvalita de ni.
Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon.
Ĉefaj trajtoj:
1. Alta temperatura oksida rezisto:
la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1600 C.
2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponaĵo sub alta temperatura klorina kondiĉo.
3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.
4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.
Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵo:
| SiC-CVD Propraĵoj | ||
| Kristala Strukturo | FCC β-fazo | |
| Denso | g/cm³ | 3.21 |
| Malmoleco | Vickers-malmoleco | 2500 |
| Grajna Grandeco | μm | 2~10 |
| Kemia pureco | % | 99.99995 |
| Varmo Kapacito | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperaturo de sublimado | ℃ | 2700 |
| Feleksura Forto | MPa (RT 4-punkto) | 415 |
| Modulo de Young | Gpa (4pt-kurbo, 1300℃) | 430 |
| Termika Vastiĝo (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Termika kondukteco | (W/mK) | 300 |
Kial vi povas elekti bestkuracisto?
1) ni havas sufiĉan akcian garantion.
2) profesia pakado certigas produktan integrecon.La produkto estos liverita al vi sekure.
3) pli da loĝistikaj kanaloj ebligas liverajn produktojn al vi.
