SiC tegantaj grafitaj MOCVD-Oblatoj-portiloj, Grafitaj Susceptoroj por SiC-Epitaksio

Mallonga Priskribo:

 


  • Loko de Origino:Ĝeĝjango, Ĉinio (Kontinento)
  • Modela Nombro:Boato3004
  • Kemia komponado:SiC tegita grafito
  • Fleksa forto:470Mpa
  • Termika kondukteco:300 W/mK
  • Kvalito:Perfekte
  • Funkcio:CVD-SiC
  • Apliko:Semikonduktaĵo/Fotovoltaiko
  • Denso:3,21 g/cc
  • Termika ekspansio:4 10-6/K
  • Cindro: <5ppm
  • Specimeno:Disponebla
  • HS Kodo:6903100000
  • Produkta Detalo

    Produktaj Etikedoj

    SiC tegantaj grafitaj MOCVD-Oblatoj-portiloj, Grafitaj Susceptoroj por SiC-Epitaksio,
    Karbono provizas susceptorojn, grafitajn susceptorojn, grafitajn pletojn, SiC-epitaksion, oblajn susceptorojn,

    Produkta Priskribo

    CVD-SiC-tegaĵo havas la karakterizaĵojn de unuforma strukturo, kompakta materialo, alta temperaturrezisto, oksidiĝa rezisto, alta pureco, acida kaj alkala rezisto kaj organika reakciilo, kun stabilaj fizikaj kaj kemiaj propraĵoj.

    Kompare kun altpuraj grafitaj materialoj, grafito komencas oksidiĝi je 400C, kio kaŭzos perdon de pulvoro pro oxidado, rezultigante median poluadon al ekstercentraj aparatoj kaj malplenaj ĉambroj, kaj pliigos malpuraĵojn de altpura medio.

    Tamen, SiC-tegaĵo povas konservi fizikan kaj kemian stabilecon je 1600 gradoj, Ĝi estas vaste uzata en moderna industrio, precipe en semikonduktaĵo-industrio.

    Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon. La SIC formita estas firme ligita al la grafita bazo, donante al la grafita bazo specialajn proprietojn, tiel farante la surfacon de la grafito kompakta, Porosity-libera, alta temperatura rezisto, koroda rezisto kaj oxidada rezisto.

    Apliko:

    2

    Ĉefaj trajtoj:

    1. Alta temperatura oksida rezisto:

    la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1700 C.

    2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponaĵo sub alta temperatura klorina kondiĉo.

    3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.

    4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.

    Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵoj:

    SiC-CVD

    Denso

    (g/cc)

    3.21

    Fleksa forto

    (Mpa)

    470

    Termika ekspansio

    (10-6/K)

    4

    Termika kondukteco

    (W/mK)

    300

    Kapablo de Provizo:

    10000 Peco/Pecoj por Monato
    Pakado kaj Livero:
    Pakado: Norma kaj Forta Pakado
    Polisako + Skatolo + Kartono + Paleto
    Haveno:
    Ningbo/Ŝenĵen/Ŝanhajo
    Antaŭtempa Tempo:

    Kvanto (Pecoj) 1 – 1000 > 1000
    Est. Tempo (tagoj) 15 Intertraktenda


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Enreta Babilejo de WhatsApp!