SiC tegaĵo tegita deGrafita substrato por Semikonduktaĵo, Silicia karbura tegaĵo,MOCVD-Susceptoro,
Grafita substrato, Grafita substrato por Semikonduktaĵo, MOCVD-Susceptoro, Tegaĵo de silicio-karburo,
Specialaj avantaĝoj de niaj SiC-tegitaj grafitaj susceptoroj inkluzivas ekstreme altan purecon, homogenan tegaĵon kaj bonegan funkcidaŭron. Ili ankaŭ havas altan kemian reziston kaj termikan stabilecpropraĵojn.
SiC tegaĵo deGrafita substratopor Semikonduktaĵaj aplikoj produktas parton kun supera pureco kaj rezisto al oksigena atmosfero.
CVD SiC aŭ CVI SiC estas aplikata al Grafito de simplaj aŭ kompleksaj dezajnopartoj. Tegaĵo povas esti aplikata en diversaj dikecoj kaj al tre grandaj partoj.
Karakterizaĵoj:
· Bonega Termika Ŝoko Rezisto
· Bonega Fizika Ŝoka Rezisto
· Bonega Kemia Rezisto
· Super Alta Pureco
· Havebleco en Kompleksa Formo
· Uzebla sub Oksidanta Atmosfero
Tipaj Propraĵoj de Baza Grafita Materialo:
Ŝajna Denso: | 1,85 g/cm3 |
Elektra rezisteco: | 11 μΩm |
Fleksa Forto: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
Marborda Malmoleco: | 58 |
Cindro: | <5ppm |
Termika Kondukto: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Karbono liveras susceptorojn kaj grafitajn komponentojn por ĉiuj nunaj epitaksiaj reaktoroj. Nia biletujo inkluzivas barelaj susceptoroj por aplikataj kaj LPE-unuoj, krespo-susceptoroj por LPE, CSD kaj Gemini-unuoj, kaj unuoblaj-susceptoroj por aplikataj kaj ASM-unuoj. Kombinante fortajn partnerecojn kun ĉefaj OEM-oj, materialaj kompetentecoj kaj fabrik-scio, SGL. proponas la optimuman dezajnon por via apliko.
Pli da Produktoj
-
Grafita hejtilo Silicia karburo (SiC) SiC coati...
-
Agordita Grafita Hejtilo por Semikonduktaĵo Si...
-
Agordita Metala Fandado SIC Ingotilo, Silico...
-
personecigita Silicon SIC-muldilo silicio SSIC RBSIC...
-
CVD SiC Tegita Karbon-karbona Komponita CFC-Boato...
-
Karbon-karbona Komponita Plato Kun SiC Tegaĵo
-
CVD sic tegaĵo karbono-karbona kunmetita ŝimo
-
CVD sic tegaĵo cc kunmetita bastono, siliciokarbado...
-
ora kaj arĝenta kastiong muldilo Silicon Mould, Si...