PSS Etch Portisto

Mallonga Priskribo:

Loko de Origino:Ĉinio

Kristala Strukturo:FCCβ-fazo

Denso:3,21 g/cm;

Malmoleco:2500 Vickers;

Grajna Grandeco:2~10μm;

Kemia pureco:99,99995 %;

Kapacito de Varmo:640J·kg-1·K-1;

Sublimiga Temperaturo:2700℃;

Feleksura Forto:415 Mpa (RT 4-Punkto);

Modulo de Young:430 Gpa (4pt kurbiĝo, 1300℃);

Termika Vastiĝo (CTE):4.5 10-6K-1;

Termika Kondukto:300（W/MK）;

Sendu retpoŝton al ni Elŝutu kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Produkta Priskribo

Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon.

Ĉefaj trajtoj:

1. Alta temperatura oksida rezisto:

la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1600 C.

2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub alta temperatura klorina kondiĉo.

3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.

4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.

Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵo

SiC-CVD Propraĵoj
Kristala Strukturo	FCC β-fazo
Denso	g/cm³	3.21
Malmoleco	Vickers-malmoleco	2500
Grajna Grandeco	μm	2~10
Kemia pureco	%	99.99995
Varmo Kapacito	J·kg-1 ·K-1	640
Temperaturo de sublimado	℃	2700
Feleksura Forto	MPa (RT 4-punkto)	415
Modulo de Young	Gpa (4pt-kurbo, 1300℃)	430
Termika Vastiĝo (CTE)	10-6K-1	4.5
Termika kondukteco	(W/mK)	300