La nekredeble riĉaj projektoj administraj spertoj kaj person al 1 servomodelo faras la grandan gravecon de organiza komunikado kaj nian facilan komprenon de viaj atendoj por Profesia Ĉinio Ĉinio Sic Boat Portas Siliciajn Oblatojn En La Alta Temperatura Disvastigo Tegaĵo Forno Tubo, Nia fina celo estas ĉiam rangi kiel pinta marko kaj ankaŭ gvidi kiel pioniro en nia fako. Ni certas, ke nia produktiva sperto pri kreado de iloj ricevos la fidon de la kliento, Dezirus kunlabori kaj kunkrei eĉ pli bonan longtempe kun vi!
La nekredeble riĉaj administraj spertoj pri projektoj kaj servomodelo de persono al 1 faras la grandan gravecon de organiza komunikado kaj nian facilan komprenon de viaj atendoj porĈinio Carry Silicon Wafers, Polikristala Silicio-Oblato, Bonvenon iun el viaj demandoj kaj zorgoj pri niaj produktoj. Ni antaŭĝojas establi longdaŭran komercan rilaton kun vi en proksima estonteco. Kontaktu nin hodiaŭ. Ni estas la unua komerca partnero laŭ viaj bezonoj!
ProduktoDpriskribo
Silicia karbura Oblato-Boato estas vaste uzataj kiel oblato en alttemperatura disvastigo.
Avantaĝoj:
Rezisto al alta temperaturo:normala uzo ĉe 1800 ℃
Alta varmokondukteco:ekvivalenta al grafita materialo
Alta malmoleco:malmoleco dua nur al diamanto, boronitruro
Korodrezisto:forta acido kaj alkalo havas neniun korodon al ĝi, la koroda rezisto estas pli bona ol volframkarbido kaj alumino.
Malpeza pezo:malalta denseco, proksima al aluminio
Neniu deformado: malalta koeficiento de termika ekspansio
Rezisto al termika ŝoko:ĝi povas elteni akrajn temperaturŝanĝojn, rezisti termikan ŝokon kaj havas stabilan agadon
Fizikaj Propraĵoj De SiC
| Proprieto | Valoro | Metodo |
| Denso | 3,21 g/cc | Sink-flosilo kaj dimensio |
| Specifa varmo | 0,66 J/g °K | Pulsita lasera ekbrilo |
| Fleksa forto | 450 MPa560 MPa | 4-punkta kurbiĝo, RT4-punkta kurbiĝo, 1300° |
| Fraktura fortikeco | 2,94 MPa m1/2 | Microindentado |
| Malmoleco | 2800 | Vicker's, ŝarĝo de 500 g |
| Elasta ModuloModulo de Young | 450 GPa430 GPa | 4 pt kurbiĝo, RT4 pt kurbiĝo, 1300 °C |
| Grajna grandeco | 2-10 µm | SEM |
Termikaj Propraĵoj De SiC
| Termika Kondukto | 250 W/m °K | Laser-fulmmetodo, RT |
| Termika Vastiĝo (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Ĉambra temperaturo ĝis 950 °C, silika dilatometro |
