Altpuraj grafitaj komponantoj estas decidajprocezoj en la duonkonduktaĵo, LED kaj suna industrio. Nia oferto varias de grafitaj konsumaĵoj por kristalaj kreskantaj varmaj zonoj (hejtiloj, fandujoj, izolajzo), ĝis alt-precizecaj grafitaj komponantoj por oblataj pretigaj ekipaĵoj, kiel siliciokarbido tegitaj grafitaj susceptoroj por Epitaxy aŭ MOCVD. Jen kie nia speciala grafito eniras en ludon: izostatika grafito estas fundamenta por la produktado de kunmetitaj duonkonduktaĵtavoloj. Ĉi tiuj estas generitaj en la "varma zono" sub ekstremaj temperaturoj dum la tielnomita epitaksio, aŭ MOCVD-procezo. La rotacia portanto sur kiu la oblatoj estas kovritaj en la reaktoro, konsistas el siliciokarbid-tegita izostatika grafito. Nur ĉi tiu tre pura, homogena grafito plenumas la altajn postulojn en la tega procezo.
Tli baza principo de LED epitaksa obla kresko estas: sur substrato (ĉefe safiro, SiC kaj Si) varmigita al taŭga temperaturo, la gasa materialo InGaAlP estas transportita al la substratsurfaco en kontrolita maniero por kreskigi specifan ununuran kristalan filmon. Nuntempe, la kreskoteknologio de LED epitaxial oblato ĉefe adoptas organikan metalan kemian vapordeponon.
LED epitaxial substrata materialoestas la bazŝtono de la teknologia evoluo de duonkondukta lumindustrio. Malsamaj substrataj materialoj bezonas malsaman teknologion de kresko de LED epitaxial, teknologio de prilaborado de blatoj kaj teknologio de pakado de aparato. Substrataj materialoj determinas la evoluitineron de duonkondukta lumteknologio.
Karakterizaĵoj de elekto de materialo de substrato de LED epitaksa oblato:
1. La epitaxial materialo havas la saman aŭ similan kristalan strukturon kun la substrato, malgranda krado konstanta miskongruo, bona kristaleco kaj malalta difekto denseco
2. Bonaj interfacaj trajtoj, favoraj al la nukleado de epitaksiaj materialoj kaj forta adhero
3. Ĝi havas bonan kemian stabilecon kaj ne facilas malkomponi kaj korodi en la temperaturo kaj atmosfero de epitaksia kresko
4. Bona termika rendimento, inkluzive de bona termika kondukteco kaj malalta termika miskongruo
5. Bona kondukteco, povas esti farita en supran kaj malsupran strukturon 6, bonan optikan rendimenton, kaj la lumo elsendita de la fabrikita aparato estas malpli sorbita de la substrato.
7. Bonaj mekanikaj propraĵoj kaj facila prilaborado de aparatoj, inkluzive de maldikiĝo, polurado kaj tranĉado
8. Malalta prezo.
9. Granda grandeco. Ĝenerale, la diametro ne devas esti malpli ol 2 coloj.
10. Estas facile akiri regulan formon substraton (krom se ekzistas aliaj specialaj postuloj), kaj la substrata formo simila al la pleta truo de epitaxial ekipaĵo ne estas facile formi malregulan kirlofluon, por influi la epitaxial kvalito.
11. Sur la premiso de ne tuŝi la epitaxial kvalito, la maŝinebleco de la substrato devas plenumi la postulojn de posta blato kaj paka pretigo laŭeble.
Estas tre malfacile por la elekto de substrato renkonti la supre dek unu aspektojn samtempe. Tial, nuntempe, ni povas nur adaptiĝi al la R & D kaj produktado de duonkonduktaĵoj lum-elsendantaj aparatoj sur malsamaj substratoj tra la ŝanĝo de epitaxial kresko teknologio kaj la alĝustigo de aparato prilaborado teknologio. Estas multaj substrataj materialoj por esploro pri galiumnitruro, sed ekzistas nur du substratoj uzeblaj por produktado, nome safiro Al2O3 kaj siliciokarbido.SiC-substratoj.
Afiŝtempo: Feb-28-2022