Propraĵoj de rekristaligita siliciokarbido
Rekristaligita siliciokarbido (R-SiC) estas alt-efikeca materialo kun malmoleco dua nur al diamanto, kiu estas formita ĉe alta temperaturo super 2000℃. Ĝi konservas multajn bonegajn ecojn de SiC, kiel alta temperatura forto, forta koroda rezisto, bonega oksidiĝa rezisto, bona termika ŝoko rezisto ktp.
● Bonegaj mekanikaj propraĵoj. Rekristaligita siliciokarbido havas pli altan forton kaj rigidecon ol karbonfibro, altan trafon reziston, povas ludi bonan agadon en ekstremaj temperaturaj medioj, povas ludi pli bonan kontraŭpezan agadon en diversaj situacioj. Krome, ĝi ankaŭ havas bonan flekseblecon kaj ne facile difektiĝas per streĉado kaj fleksado, kio multe plibonigas ĝian rendimenton.
● Alta koroda rezisto. Rekristaligita silicio-karbido havas altan korodan reziston al diversaj amaskomunikiloj, povas malhelpi la erozion de diversaj korodaj amaskomunikiloj, povas konservi siajn mekanikajn ecojn dum longa tempo, havas fortan aliĝon, tiel ke ĝi havas pli longan funkcidaŭron. Krome, ĝi ankaŭ havas bonan termikan stabilecon, povas adaptiĝi al certa gamo de temperaturŝanĝoj, plibonigi sian aplikan efikon.
● Sinterizado ne ŝrumpas. Ĉar la sinteriza procezo ne ŝrumpas, neniu resta streso kaŭzos deformadon aŭ krakadon de la produkto, kaj partoj kun kompleksaj formoj kaj alta precizeco povas esti preparitaj.
| 重结晶碳化硅物理特性 Fizikaj trajtoj de Rekristaligita Silicia Karbido | |
| 性质 / Proprieto | 典型数值 / Tipa Valoro |
| 使用温度/ Labortemperaturo (°C) | 1600 °C (kun oksigeno), 1700 °C (reduktanta medio) |
| SiC含量/ SiC enhavo | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Senpaga Si enhavo | < 0.1% |
| 体积密度/Granda denseco | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Ŝajna poreco | < 16% |
| 抗压强度/ Kunpremforto | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Malvarma fleksa forto | 80-90 MPa (20 °C) |
| 高温抗弯强度Varma fleksa forto | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Termika ekspansio @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Termika kondukteco @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Elasta modulo | 240 GPa |
| 抗热震性/ Termika ŝoko rezisto | Ege bona |
VET Energio estas lavera fabrikisto de personigitaj grafito kaj siliciokarbido-produktoj kun CVD-tegaĵo,povas provizidiversajpersonecigitaj partoj por duonkonduktaĵo kaj fotovoltaeca industrio. Our teknika teamo venas de ĉefaj hejmaj esplorinstitucioj, povas provizi pli profesiajn materialajn solvojnpor vi.
Ni senĉese disvolvas altnivelajn procezojn por provizi pli altnivelajn materialojn,kajellaboris ekskluzivan patentitan teknologion, kiu povas fari la ligon inter la tegaĵo kaj la substrato pli streĉa kaj malpli inklina al malligo.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Bazaj fizikaj trajtoj de CVD SiCtegaĵo | |
| 性质 / Proprieto | 典型数值 / Tipa Valoro |
| 晶体结构 / Kristala Strukturo | FCC β-fazo多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Denso | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Malmoleco | 2500 维氏硬度（500g ŝarĝo） |
| 晶粒大小 / Grain Size | 2~10μm |
| 纯度 / Kemia Pureco | 99,99995 % |
| 热容 / Varmo Kapacito | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimiga Temperaturo | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Fleksa Forto | 415 MPa RT 4-punkto |
| 杨氏模量 / Modulo de Young | 430 Gpa 4pt kurbiĝo, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKondukto | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termika Vastiĝo (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Varme bonvenigas vin viziti nian fabrikon, ni plu diskutos!
