Γνωρίζουμε ότι ευδοκιμούμε μόνο εάν μπορούμε να εγγυηθούμε τη συνδυασμένη ανταγωνιστικότητα τιμής και την ποιότητά μας ταυτόχρονα συμφέρουσα για τους κορυφαίους προμηθευτές Grey Black Carbide Silicon Sic Carborundum China High Purity, Καλωσορίζουμε νέους και προηγούμενους πελάτες από όλα τα κοινωνικά στρώματα για να μας μιλήσουν για προβλέψιμες μελλοντικές σχέσεις οργάνωσης και απόκτηση αμοιβαίων επιτευγμάτων!
Γνωρίζουμε ότι ευδοκιμούμε μόνο εάν μπορούμε να εγγυηθούμε τη συνδυασμένη ανταγωνιστικότητα των τιμών και την ποιότητά μας ταυτόχρονα συμφέρουσα γιαΚίνα Υλικό Επικάλυψης, Διοξείδιο του Τιτανίου, Η εταιρεία μας υποστηρίζει το πνεύμα της «καινοτομίας, αρμονίας, ομαδικής εργασίας και κοινής χρήσης, μονοπατιών, ρεαλιστικής προόδου». Δώστε μας μια ευκαιρία και θα αποδείξουμε τις δυνατότητές μας. Με την ευγενική σας βοήθεια, πιστεύουμε ότι μπορούμε να δημιουργήσουμε ένα λαμπρό μέλλον μαζί σας.
Σύνθετα άνθρακα / άνθρακα(εφεξής «C/C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ανθρακονήματα και τα προϊόντα του (προμορφώματα ανθρακονημάτων). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ανθρακονημάτων. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας
CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά της ομοιόμορφης δομής, του συμπαγούς υλικού, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, της αντοχής στην οξείδωση, της υψηλής καθαρότητας, της αντίστασης σε οξύ και αλκάλιο και οργανικό αντιδραστήριο, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.
Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη ρύπανση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αύξηση των ακαθαρσιών του περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.
Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει τη φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.
Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με τη μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το SIC που σχηματίζεται είναι σταθερά συνδεδεμένο με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ιδιαίτερες ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.
Κύρια χαρακτηριστικά:
1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:
η αντίσταση στην οξείδωση είναι ακόμα πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.
2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμού υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.
4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.
Βασικές προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Πυκνότητα | (g/cc)
| 3.21 |
| Αντοχή σε κάμψη | (Mpa)
| 470 |
| Θερμική διαστολή | (10-6/K) | 4
|
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300
|
