-
4 δις! Η SK Hynix ανακοινώνει την επένδυση προηγμένων συσκευασιών ημιαγωγών στο Purdue Research Park
West Lafayette, Indiana – Η SK hynix Inc. ανακοίνωσε σχέδια για επένδυση σχεδόν 4 δισεκατομμυρίων δολαρίων για την κατασκευή μιας προηγμένης εγκατάστασης παραγωγής και έρευνας και ανάπτυξης συσκευασιών για προϊόντα τεχνητής νοημοσύνης στο Purdue Research Park. Δημιουργία βασικού κρίκου στην αλυσίδα εφοδιασμού ημιαγωγών των ΗΠΑ στο West Lafayett...Διαβάστε περισσότερα -
Η τεχνολογία λέιζερ οδηγεί στον μετασχηματισμό της τεχνολογίας επεξεργασίας υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου
1. Επισκόπηση της τεχνολογίας επεξεργασίας υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου Τα τρέχοντα στάδια επεξεργασίας υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου περιλαμβάνουν: λείανση του εξωτερικού κύκλου, κοπή, λοξότμηση, λείανση, στίλβωση, καθαρισμός κ.λπ.Διαβάστε περισσότερα -
Κύρια υλικά θερμικού πεδίου: σύνθετα υλικά C/C
Τα σύνθετα υλικά άνθρακα-άνθρακα είναι ένας τύπος σύνθετων ινών άνθρακα, με ανθρακονήματα ως υλικό ενίσχυσης και εναποτιθέμενο άνθρακα ως υλικό μήτρας. Η μήτρα των σύνθετων υλικών C/C είναι άνθρακας. Δεδομένου ότι αποτελείται σχεδόν εξ ολοκλήρου από στοιχειακό άνθρακα, έχει εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες...Διαβάστε περισσότερα -
Τρεις κύριες τεχνικές για την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC
Όπως φαίνεται στο Σχ. 3, υπάρχουν τρεις κυρίαρχες τεχνικές που στοχεύουν στην παροχή μονοκρύσταλλου SiC με υψηλή ποιότητα και αποτελεσματικότητα: επιταξία υγρής φάσης (LPE), φυσική μεταφορά ατμού (PVT) και εναπόθεση χημικών ατμών σε υψηλή θερμοκρασία (HTCVD). Το PVT είναι μια καθιερωμένη διαδικασία για την παραγωγή SiC sin...Διαβάστε περισσότερα -
Ημιαγωγός τρίτης γενιάς GaN και σχετική επιταξιακή τεχνολογία σύντομη εισαγωγή
1. Ημιαγωγοί τρίτης γενιάς Η τεχνολογία ημιαγωγών πρώτης γενιάς αναπτύχθηκε με βάση ημιαγωγικά υλικά όπως το Si και το Ge. Αποτελεί την υλική βάση για την ανάπτυξη τρανζίστορ και τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Τα υλικά ημιαγωγών πρώτης γενιάς έθεσαν το...Διαβάστε περισσότερα -
23,5 δισεκατομμύρια, ο σούπερ μονόκερος της Suzhou πηγαίνει σε IPO
Μετά από 9 χρόνια επιχειρηματικότητας, η Innoscience συγκέντρωσε περισσότερα από 6 δισεκατομμύρια γιουάν σε συνολική χρηματοδότηση και η αποτίμησή της έφτασε τα εκπληκτικά 23,5 δισεκατομμύρια γιουάν. Η λίστα των επενδυτών είναι τόσο μεγάλη όσο και δεκάδες εταιρείες: Fukun Venture Capital, Dongfang κρατικής ιδιοκτησίας Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Διαβάστε περισσότερα -
Πώς τα προϊόντα με επικάλυψη καρβιδίου του τανταλίου ενισχύουν την αντοχή στη διάβρωση των υλικών;
Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου είναι μια ευρέως χρησιμοποιούμενη τεχνολογία επεξεργασίας επιφανειών που μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την αντοχή στη διάβρωση των υλικών. Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου μπορεί να προσκολληθεί στην επιφάνεια του υποστρώματος μέσω διαφορετικών μεθόδων προετοιμασίας, όπως εναπόθεση χημικών ατμών, φυσική...Διαβάστε περισσότερα -
Εισαγωγή στον ημιαγωγό τρίτης γενιάς GaN και σχετική επιταξιακή τεχνολογία
1. Ημιαγωγοί τρίτης γενιάς Η τεχνολογία ημιαγωγών πρώτης γενιάς αναπτύχθηκε με βάση ημιαγωγικά υλικά όπως το Si και το Ge. Αποτελεί την υλική βάση για την ανάπτυξη τρανζίστορ και τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Τα υλικά ημιαγωγών πρώτης γενιάς έθεσαν το...Διαβάστε περισσότερα -
Μελέτη αριθμητικής προσομοίωσης για την επίδραση του πορώδους γραφίτη στην ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου
Η βασική διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων SiC χωρίζεται σε εξάχνωση και αποσύνθεση πρώτων υλών σε υψηλή θερμοκρασία, μεταφορά ουσιών αέριας φάσης υπό τη δράση της βαθμίδας θερμοκρασίας και ανάπτυξη ανακρυστάλλωσης ουσιών αέριας φάσης στον κρύσταλλο των σπόρων. Με βάση αυτό, το...Διαβάστε περισσότερα