Ράβδος γραφίτη ηλεκτροδίου άνθρακα σιλικόνης, ράβδος καρβιδίου πυριτίου

Σύντομη περιγραφή:


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η εταιρεία μας επιμένει καθ' όλη τη διάρκεια της πολιτικής ποιότητας «η κορυφαία ποιότητα προϊόντος είναι η βάση της επιβίωσης του οργανισμού. η ευχαρίστηση του αγοραστή θα είναι το σημείο αναφοράς και το τέλος μιας εταιρείας. η επίμονη βελτίωση είναι αιώνια επιδίωξη προσωπικού» συν τον συνεπή σκοπό της «πρώτα η φήμη, πρώτος ο αγοραστής» για το εργοστάσιο Προμηθεύουμε απευθείας την Κίνα Electro Graphite Block, Το προσωπικό της επιχείρησής μας με όλη τη χρήση τεχνολογιών αιχμής προσφέρει άψογες εξαιρετικές λύσεις εξαιρετικά λατρεμένες και εκτιμάται από τους πελάτες μας παγκοσμίως.
Η εταιρεία μας επιμένει καθ' όλη τη διάρκεια της πολιτικής ποιότητας «η κορυφαία ποιότητα προϊόντος είναι η βάση της επιβίωσης του οργανισμού. η ευχαρίστηση του αγοραστή θα είναι το σημείο αναφοράς και το τέλος μιας εταιρείας. η επίμονη βελτίωση είναι η αιώνια επιδίωξη του προσωπικού» συν τον συνεπή σκοπό του «πρώτα η φήμη, πρώτα ο αγοραστής» γιαΜπλοκ άνθρακα, Μπλοκ γραφίτη Κίνας, Το προσωπικό μας τηρεί το πνεύμα «Ακεραιότητα και Διαδραστική Ανάπτυξη» και το δόγμα της «Πρώτης ποιότητας με άριστη εξυπηρέτηση». Σύμφωνα με τις ανάγκες κάθε πελάτη, παρέχουμε εξατομικευμένες και εξατομικευμένες υπηρεσίες για να βοηθήσουμε τους πελάτες να επιτύχουν τους στόχους τους με επιτυχία. Καλωσορίστε πελάτες από το σπίτι και το εξωτερικό για να καλέσουν και να ρωτήσουν!

Περιγραφή προϊόντος

Σύνθετα άνθρακα / άνθρακα(εφεξής «C/C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ανθρακονήματα και τα προϊόντα του (προμορφώματα ανθρακονημάτων). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ανθρακονημάτων. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας

CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά της ομοιόμορφης δομής, του συμπαγούς υλικού, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, της αντοχής στην οξείδωση, της υψηλής καθαρότητας, της αντίστασης σε οξύ και αλκάλιο και οργανικό αντιδραστήριο, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.

Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη μόλυνση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αυξάνοντας τις ακαθαρσίες περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.

Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει τη φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.

Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με τη μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το SIC που σχηματίζεται είναι σταθερά συνδεδεμένο με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ιδιαίτερες ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.

 Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείς

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

η αντίσταση στην οξείδωση είναι ακόμα πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.

2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμών υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.

 

Βασικές προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:

SiC-CVD

Πυκνότητα

(g/cc)

3.21

Αντοχή σε κάμψη

(Mpa)

470

Θερμική διαστολή

(10-6/K)

4

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300

Αναλυτικές εικόνες

Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείς

Πληροφορίες εταιρείας

111

Εργοστασιακός Εξοπλισμός

222

Αποθήκη

333

Πιστοποιήσεις

Πιστοποιήσεις 22

 


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • WhatsApp Online Chat!