Δίσκος μεταφοράς καρβιδίου πυριτίουis a κλειδίσυστατικό που χρησιμοποιείται σε διάφορες διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών.Χρησιμοποιούμε την πατενταρισμένη τεχνολογία μας για την κατασκευή του φορέα καρβιδίου του πυριτίουεξαιρετικά υψηλή καθαρότητα,καλόςεπένδυσηομοιομορφίακαι εξαιρετική διάρκεια ζωής, καθώς καιυψηλή χημική αντοχή και ιδιότητες θερμικής σταθερότητας.
Η ενέργεια ΕΕΚ είναι οπραγματικός κατασκευαστής προσαρμοσμένων προϊόντων γραφίτη και καρβιδίου του πυριτίου με επίστρωση CVD,μπορεί να παρέχειδιάφοροςεξατομικευμένα ανταλλακτικά για ημιαγωγούς και φωτοβολταϊκά βιομηχανία. OΗ τεχνική ομάδα σας προέρχεται από κορυφαία εγχώρια ερευνητικά ιδρύματα, μπορεί να παρέχει πιο επαγγελματικές λύσεις υλικούγια σένα.
Αναπτύσσουμε συνεχώς προηγμένες διαδικασίες για να παρέχουμε πιο προηγμένα υλικά,καιέχουν επεξεργαστεί μια αποκλειστική κατοχυρωμένη με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας τεχνολογία, η οποία μπορεί να κάνει τη συγκόλληση μεταξύ της επίστρωσης και του υποστρώματος πιο σφιχτή και λιγότερο επιρρεπή σε αποκόλληση.
Fχαρακτηριστικά των προϊόντων μας:
1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία έως 1700℃.
2. Υψηλή καθαρότητα καιθερμική ομοιομορφία
3. Εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση: αντιδραστήρια οξύ, αλκάλια, αλάτι και οργανικά.
4. Υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.
5. Μεγαλύτερη διάρκεια ζωής και πιο ανθεκτικό
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Βασικές φυσικές ιδιότητες του CVD SiCεπένδυση | |
| 性质 / Περιουσία | 典型数值 / Τυπική τιμή |
| 晶体结构 / Κρυσταλλική Δομή | FCC β φάση多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Πυκνότητα | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Σκληρότητα | 2500 维氏硬度 (500 g φορτίο) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2~10μm |
| 纯度 / Χημική Καθαρότητα | 99,99995% |
| 热容 / Θερμοχωρητικότητα | 640 J·kg-1·Κ-1 |
| 升华温度 / Θερμοκρασία εξάχνωσης | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Καμπτική αντοχή | 415 MPa RT 4 σημείων |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃ |
| 导热系数 / ΘέρμαμεγάλοΑγώγιμο | 300 W·m-1·Κ-1 |
| 热膨胀系数 / Θερμική διαστολή (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Σας καλωσορίζουμε θερμά να επισκεφτείτε το εργοστάσιό μας, ας συζητήσουμε περαιτέρω!
