Κίνα χονδρική Κίνα Κατασκευαστής χωνευτηρίου/σκάφους από γραφίτη υψηλής ποιότητας

Σύντομη περιγραφή:


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Χρησιμοποιώντας μια συνολική επιστημονική διαδικασία διαχείρισης καλής ποιότητας, ανώτερης ποιότητας και άριστης πίστης, αποκτήσαμε σπουδαίο όνομα και καταλάβαμε αυτό το πεδίο για την Κίνα χονδρική Κίνα Κατασκευαστής χωνευτηρίου/σκάφους γραφίτη υψηλής ποιότητας, θα μπορούσαμε να λύσουμε τα προβλήματα των πελατών μας το συντομότερο δυνατό και να αποκομίσουμε το κέρδος για πελάτης. Για όσους χρειάζονται ανώτερο πάροχο και εξαιρετικό, pls επιλέξτε μας, ευχαριστώ!
Χρησιμοποιώντας μια συνολική επιστημονική διαδικασία διαχείρισης καλής ποιότητας, ανώτερης ποιότητας και άριστης πίστης, αποκτούμε σπουδαίο όνομα και καταλαμβάνουμε αυτόν τον τομέα γιαChina Crucible, Χωνευτήριο γραφίτη, έχουμε πλήρη γραμμή παραγωγής υλικών, γραμμή συναρμολόγησης, σύστημα ποιοτικού ελέγχου και το πιο σημαντικό, έχουμε πολλά διπλώματα ευρεσιτεχνίας τεχνολογίας και έμπειρη τεχνική και ομάδα παραγωγής, εξειδικευμένη ομάδα εξυπηρέτησης πωλήσεων. Με όλα αυτά τα πλεονεκτήματα των ανθρώπων, σκοπεύαμε να δημιουργήσουμε «την αξιόπιστη διεθνή μάρκα μονόινα νάιλον» και να διαδώσουμε τα προϊόντα μας σε κάθε γωνιά του κόσμου. Συνεχίζουμε να προχωράμε και προσπαθούμε να εξυπηρετήσουμε τους πελάτες μας.

Περιγραφή προϊόντος

Σύνθετα άνθρακα / άνθρακα(εφεξής «C/C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ανθρακονήματα και τα προϊόντα του (προμορφώματα ανθρακονημάτων). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ανθρακονημάτων. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας

CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά της ομοιόμορφης δομής, του συμπαγούς υλικού, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, της αντοχής στην οξείδωση, της υψηλής καθαρότητας, της αντίστασης σε οξύ και αλκάλιο και οργανικό αντιδραστήριο, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.

Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη ρύπανση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αύξηση των ακαθαρσιών του περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.

Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει τη φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.

Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με τη μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το SIC που σχηματίζεται είναι σταθερά συνδεδεμένο με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ιδιαίτερες ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.

 Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείς

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

η αντίσταση στην οξείδωση είναι ακόμα πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.

2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμού υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.

 

Βασικές προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:

SiC-CVD

Πυκνότητα

(g/cc)

3.21

Αντοχή σε κάμψη

(Mpa)

470

Θερμική διαστολή

(10-6/K)

4

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300

Αναλυτικές εικόνες

Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείς

Πληροφορίες εταιρείας

111

Εργοστασιακός Εξοπλισμός

222

Αποθήκη

333

Πιστοποιήσεις

Πιστοποιήσεις 22

 


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • WhatsApp Online Chat!