Μπλε/Πράσινο LED Επιτάξιο

Σύντομη περιγραφή:


  • Τόπος καταγωγής:Κίνα
  • Κρυσταλλική δομή:Φάση FCCβ
  • Πυκνότητα:3,21 g/cm;
  • Σκληρότητα:2500 Vickers;
  • Μέγεθος κόκκου:2~10μm;
  • Χημική καθαρότητα:99,99995%;
  • Θερμοχωρητικότητα:640J·kg-1·K-1;
  • Θερμοκρασία εξάχνωσης:2700℃;
  • Καμπτική δύναμη:415 Mpa (RT 4-Point);
  • Modulus του Young:430 Gpa (4pt στροφή, 1300℃);
  • Θερμική Διαστολή (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Θερμική αγωγιμότητα:300 (W/MK);
  • Λεπτομέρεια προϊόντος

    Ετικέτες προϊόντων

    Περιγραφή προϊόντος

    Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με τη μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC.

    Κύρια χαρακτηριστικά:

    1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

    η αντίσταση στην οξείδωση είναι ακόμα πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.

    2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμού υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

    3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

    4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.

    Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

    Ιδιότητες SiC-CVD

    Κρυσταλλική Δομή FCC β φάση
    Πυκνότητα g/cm ³ 3.21
    Σκληρότητα Σκληρότητα Vickers 2500
    Μέγεθος κόκκου μm 2~10
    Χημική Καθαρότητα % 99,99995
    Θερμοχωρητικότητα J·kg-1·K-1 640
    Θερμοκρασία εξάχνωσης 2700
    Καμπυλική δύναμη MPa (RT 4 σημείων) 415
    Το Modulus του Young Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) 430
    Θερμική Διαστολή (CTE) 10-6K-1 4.5
    Θερμική αγωγιμότητα (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • WhatsApp Online Chat!