Nyheder

  • Typer af speciel grafit

    Typer af speciel grafit

    Speciel grafit er et grafitmateriale med høj renhed, høj densitet og høj styrke og har fremragende korrosionsbestandighed, høj temperaturstabilitet og stor elektrisk ledningsevne. Den er lavet af naturlig eller kunstig grafit efter højtemperatur varmebehandling og højtryksbehandling...
    Læs mere
  • Analyse af tyndfilmsaflejringsudstyr – principperne og anvendelserne af PECVD/LPCVD/ALD-udstyr

    Analyse af tyndfilmsaflejringsudstyr – principperne og anvendelserne af PECVD/LPCVD/ALD-udstyr

    Tyndfilmsaflejring er at belægge et lag film på halvlederens hovedsubstratmateriale. Denne film kan være lavet af forskellige materialer, såsom isolerende sammensat siliciumdioxid, halvlederpolysilicium, metalkobber osv. Udstyret der bruges til belægning kaldes tyndfilmaflejring...
    Læs mere
  • Vigtige materialer, der bestemmer kvaliteten af ​​monokrystallinsk siliciumvækst - termisk felt

    Vigtige materialer, der bestemmer kvaliteten af ​​monokrystallinsk siliciumvækst - termisk felt

    Vækstprocessen af ​​monokrystallinsk silicium udføres fuldstændigt i det termiske felt. Et godt termisk felt er befordrende for at forbedre kvaliteten af ​​krystaller og har en højere krystallisationseffektivitet. Udformningen af ​​det termiske felt bestemmer i høj grad ændringerne i temperaturgradienter...
    Læs mere
  • Hvad er de tekniske vanskeligheder ved siliciumcarbid krystalvækstovn?

    Hvad er de tekniske vanskeligheder ved siliciumcarbid krystalvækstovn?

    Krystalvækstovnen er kerneudstyret til vækst af siliciumcarbidkrystal. Det ligner den traditionelle krystalvækstovn af krystallinsk siliciumkvalitet. Ovnstrukturen er ikke særlig kompliceret. Det er hovedsageligt sammensat af ovnlegeme, varmesystem, spoletransmissionsmekanisme ...
    Læs mere
  • Hvad er defekterne af siliciumcarbid epitaksiallag

    Hvad er defekterne af siliciumcarbid epitaksiallag

    Kerneteknologien til væksten af ​​SiC epitaksiale materialer er først og fremmest defektkontrolteknologi, især for defektkontrolteknologi, der er tilbøjelig til enhedsfejl eller pålidelighedsforringelse. Studiet af mekanismen for substratdefekter, der strækker sig ind i epi...
    Læs mere
  • Oxideret stående korn og epitaksial vækstteknologi-Ⅱ

    Oxideret stående korn og epitaksial vækstteknologi-Ⅱ

    2. Epitaksial tyndfilmvækst Substratet giver et fysisk støttelag eller ledende lag til Ga2O3-energienheder. Det næste vigtige lag er kanallaget eller epitaksiallaget, der bruges til spændingsmodstand og bærertransport. For at øge nedbrydningsspændingen og minimere kon...
    Læs mere
  • Galliumoxid enkeltkrystal og epitaksial vækstteknologi

    Galliumoxid enkeltkrystal og epitaksial vækstteknologi

    Wide bandgap (WBG) halvledere repræsenteret af siliciumcarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN) har fået bred opmærksomhed. Folk har høje forventninger til anvendelsesmulighederne for siliciumcarbid i elektriske køretøjer og elnet, såvel som anvendelsesmulighederne for gallium...
    Læs mere
  • Hvad er de tekniske barrierer for siliciumcarbid?Ⅱ

    Hvad er de tekniske barrierer for siliciumcarbid?Ⅱ

    De tekniske vanskeligheder ved stabilt at masseproducere højkvalitets siliciumcarbidskiver med stabil ydeevne omfatter: 1) Da krystaller skal vokse i et højtemperaturforseglet miljø over 2000°C, er temperaturkontrolkravene ekstremt høje; 2) Da siliciumcarbid har ...
    Læs mere
  • Hvad er de tekniske barrierer for siliciumcarbid?

    Hvad er de tekniske barrierer for siliciumcarbid?

    Den første generation af halvledermaterialer er repræsenteret af traditionel silicium (Si) og germanium (Ge), som er grundlaget for fremstilling af integrerede kredsløb. De er meget udbredt i lavspændings-, lavfrekvente- og laveffekttransistorer og detektorer. Mere end 90 % af halvlederprodukter...
    Læs mere
WhatsApp online chat!