CVD-SiCmae gan y cotio nodweddion strwythur unffurf, deunydd cryno, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd ocsideiddio, purdeb uchel, ymwrthedd asid ac alcali ac adweithydd organig, gyda phriodweddau ffisegol a chemegol sefydlog.

O'i gymharu â deunyddiau graffit purdeb uchel, mae graffit yn dechrau ocsideiddio ar 400C, a fydd yn achosi colli powdr oherwydd ocsidiad, gan arwain at lygredd amgylcheddol i ddyfeisiau ymylol a siambrau gwactod, a chynyddu amhureddau amgylchedd purdeb uchel.

Fodd bynnag, gall cotio SiC gynnal sefydlogrwydd ffisegol a chemegol ar 1600 gradd, Fe'i defnyddir yn eang mewn diwydiant modern, yn enwedig mewn diwydiant lled-ddargludyddion.

Mae ein cwmni'n darparu gwasanaethau proses cotio SiC trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau gorchuddio, ffurfio haen amddiffynnol SIC. Mae'r SIC a ffurfiwyd wedi'i bondio'n gadarn i'r sylfaen graffit, gan roi priodweddau arbennig i'r sylfaen graffit, gan wneud wyneb y cryno graffit, di-mandylledd, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad a gwrthiant ocsideiddio.

Prif nodweddion:

1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:

mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.

2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.

3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.

4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.

Prif Fanylebau Haenau CVD-SIC: