Mae suscetpor wedi'i orchuddio â SiC yn elfen allweddol a ddefnyddir mewn amrywiol brosesau gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion. Rydym yn defnyddio ein technoleg patent i wneud y suscetpor wedi'i orchuddio â SiC gyda phurdeb uchel iawn, unffurfiaeth cotio da a bywyd gwasanaeth rhagorol, yn ogystal ag ymwrthedd cemegol uchel ac eiddo sefydlogrwydd thermol.
Nodweddion ein cynnyrch:
1. ymwrthedd ocsideiddio tymheredd uchel hyd at 1700 ℃.
2. purdeb uchel ac unffurfiaeth thermol
3. ymwrthedd cyrydiad ardderchog: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.
4. Caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.
5. Bywyd gwasanaeth hirach a mwy gwydn
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Priodweddau ffisegol sylfaenol CVD SiCcotio | |
| 性质 / Eiddo | 典型数值 / Gwerth Nodweddiadol |
| 晶体结构 / Strwythur Grisial | FCC β cyfnod多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Dwysedd | 3.21 g / cm³ |
| 硬度 / Caledwch | 2500 维氏硬度（500g llwyth） |
| 晶粒大小 / SiZe Grawn | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Purdeb Cemegol | 99.99995% |
| 热容 / Gallu Gwres | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Tymheredd sychdarthiad | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Cryfder Hyblyg | 415 MPa RT 4-pwynt |
| 杨氏模量 / Modwlws Young | Tro 430 Gpa 4pt, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalDargludedd | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ehangu Thermol (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Croeso cynnes i chi ymweld â'n ffatri, gadewch i ni gael trafodaeth bellach!
