Llewys Echel SiC

Disgrifiad:

Mae gan Silicon Carbide eiddo gwrthsefyll cyrydiad rhagorol, cryfder mecanyddol uchel, dargludedd thermol uchel, hunan-iro da a ddefnyddir fel wynebau sêl, Bearings a thiwbiau mewn llongau gofod, peiriannau, meteleg, argraffu a lliwio, bwyd, fferyllol, diwydiant ceir ac ati. ymlaen. Pan gyfunir yr wynebau sic â wynebau graffit, y ffrithiant yw'r lleiaf a gellir eu gwneud yn seliau mecanyddol sy'n gallu gweithio yn y gofynion gweithio uchaf.

Priodweddau Sylfaenol Silicon Carbide:

-Dwysedd isel

- Dargludedd thermol uchel (yn agos at alwminiwm)

-Gwrthsefyll sioc thermol da

-Prawf hylif a nwy

-Anhydrinedd uchel (gellir ei ddefnyddio ar 1450 ℃ mewn aer a 1800 ℃ mewn awyrgylch niwtral)

-Nid yw'n cael ei effeithio gan gyrydiad ac nid yw'n gwlyb ag alwminiwm wedi'i doddi neu sinc wedi'i doddi

- Caledwch uchel

-Cyfernod ffrithiant isel

-Abrasion ymwrthedd

-Yn gwrthsefyll asidau sylfaenol a chryf

-Pwylaidd

-Cryfder mecanyddol uchel

Cais Silicon Carbid:

- Morloi mecanyddol, Bearings, Bearings gwthio, ac ati

-Cylchdroi cymalau

- Lled-ddargludydd a gorchudd

-Pads Pwmp cydrannau

-Cydrannau cemegol

-Drychau ar gyfer systemau laser diwydiannol.

- Adweithyddion llif parhaus, cyfnewidwyr gwres, ac ati.

Nodwedd

Mae silicon carbid yn cael ei ffurfio mewn dwy ffordd:

1) Carbid silicon sintered di-bwysedd

Ar ôl i'r deunydd carbid silicon sintered di-bwysedd gael ei ysgythru, mae'r diagram cyfnod grisial o dan y microsgop optegol 200X yn dangos bod dosbarthiad a maint y crisialau yn unffurf, ac nid yw'r grisial mwyaf yn fwy na 10μm.

2) Adwaith carbid silicon sintered

Ar ôl yr adwaith mae carbid silicon sintered yn trin rhan fflat a llyfn y deunydd yn gemegol, y grisial
mae dosbarthiad a maint o dan y microsgop optegol 200X yn unffurf, ac nid yw'r cynnwys silicon rhad ac am ddim yn fwy na 12%.