Newyddion

Pedestalau a ddefnyddir yn gyffredin ar gyfer epitaxy cyfnod anwedd
gan weinyddwr ar 24-07-30
Yn ystod y broses epitaxy cyfnod anwedd (VPE), rôl y pedestal yw cefnogi'r swbstrad a sicrhau gwresogi unffurf yn ystod y broses dwf. Mae gwahanol fathau o bedestalau yn addas ar gyfer gwahanol amodau twf a systemau deunydd. Mae'r canlynol yn rhai...
Darllen mwy
Sut i ymestyn oes gwasanaeth cynhyrchion wedi'u gorchuddio â charbid tantalwm?
gan weinyddwr ar 24-07-26
Mae cynhyrchion gorchuddio carbid tantalum yn ddeunydd tymheredd uchel a ddefnyddir yn gyffredin, a nodweddir gan wrthwynebiad tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad, ymwrthedd gwisgo, ac ati. Felly, fe'u defnyddir yn eang mewn diwydiannau fel awyrofod, cemegol ac ynni. Er mwyn cyn...
Darllen mwy
Beth yw'r gwahaniaeth rhwng PECVD a LPCVD mewn offer CVD lled-ddargludyddion?
gan weinyddwr ar 24-07-24
Mae dyddodiad anwedd cemegol (CVD) yn cyfeirio at y broses o adneuo ffilm solet ar wyneb wafer silicon trwy adwaith cemegol cymysgedd nwy. Yn ôl y gwahanol amodau adwaith (pwysau, rhagflaenydd), gellir ei rannu'n wahanol offer ...
Darllen mwy
Nodweddion llwydni graffit carbid silicon
gan weinyddwr ar 24-07-18
Llwydni graffit silicon carbid Mae llwydni graffit carbid silicon yn fowld cyfansawdd gyda charbid silicon (SiC) fel y sylfaen a graffit fel y deunydd atgyfnerthu. Mae gan y mowld hwn ddargludedd thermol rhagorol, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad a ...
Darllen mwy
Proses lled-ddargludyddion proses lawn o ffotolithograffeg
gan weinyddwr ar 24-07-16
Mae gweithgynhyrchu pob cynnyrch lled-ddargludyddion yn gofyn am gannoedd o brosesau. Rydym yn rhannu'r broses weithgynhyrchu gyfan yn wyth cam: prosesu wafferi-ocsidiad-ffotolithograffeg-ysgythru-dyddodiad ffilm tenau-epitaxial twf-trylediad-mewnblannu ïon. I'ch helpu chi...
Darllen mwy
4 biliwn! SK Hynix yn cyhoeddi buddsoddiad pecynnu uwch lled-ddargludyddion ym Mharc Ymchwil Purdue
gan weinyddwr ar 24-07-09
West Lafayette, Indiana - Cyhoeddodd SK hynix Inc. gynlluniau i fuddsoddi bron i $4 biliwn i adeiladu cyfleuster gweithgynhyrchu pecynnu ac ymchwil a datblygu uwch ar gyfer cynhyrchion deallusrwydd artiffisial ym Mharc Ymchwil Purdue. Sefydlu cyswllt allweddol yng nghadwyn gyflenwi lled-ddargludyddion yr Unol Daleithiau yng Ngorllewin Lafayett...
Darllen mwy
Mae technoleg laser yn arwain trawsnewid technoleg prosesu swbstrad carbid silicon
gan weinyddwr ar 24-07-08
1. Trosolwg o dechnoleg prosesu swbstrad silicon carbid Mae'r camau prosesu swbstrad silicon carbid presennol yn cynnwys: malu y cylch allanol, sleisio, chamfering, malu, caboli, glanhau, ac ati.
Darllen mwy
Deunyddiau maes thermol prif ffrwd: deunyddiau cyfansawdd C/C
gan weinyddwr ar 24-07-01
Mae cyfansoddion carbon-carbon yn fath o gyfansoddion ffibr carbon, gyda ffibr carbon fel y deunydd atgyfnerthu a charbon wedi'i adneuo fel y deunydd matrics. Carbon yw matrics cyfansoddion C/C. Gan ei fod bron yn gyfan gwbl yn cynnwys carbon elfennol, mae ganddo wrthydd tymheredd uchel rhagorol ...
Darllen mwy
Tair prif dechneg ar gyfer twf grisial SiC
gan weinyddwr ar 24-07-01
Fel y dangosir yn Ffig. 3, mae tair prif dechneg sy'n anelu at ddarparu grisial sengl SiC ag ansawdd uchel ac effeithlonrwydd: epitacsi cyfnod hylif (LPE), cludo anwedd corfforol (PVT), a dyddodiad anwedd cemegol tymheredd uchel (HTCVD). Mae PVT yn broses sydd wedi'i hen sefydlu ar gyfer cynhyrchu SinC SiC...
Darllen mwy