Gwerthwyr Cyfanwerthu Da Tsieina Sgleinio Sgraffinio a sgwrio â Thywod Silicon Carbide Nano Sic gyda Dargludedd Thermol Da

Disgrifiad Byr:


  • Man Tarddiad:Tsieina
  • Strwythur grisial :Cyfnod FCCβ
  • Dwysedd :3.21 g/cm;
  • Caledwch:2500 o Vickers;
  • Maint grawn:2 ~ 10μm;
  • Purdeb Cemegol:99.99995%;
  • Cynhwysedd Gwres:640J·kg-1·K-1;
  • Tymheredd sychdarthiad:2700 ℃;
  • Cryfder Felexural :415 Mpa (RT 4-Pwynt);
  • Modwlws Young:430 Gpa (tro 4pt, 1300 ℃);
  • Ehangu Thermol (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Dargludedd Thermol:300 (W/MK);
  • Manylion Cynnyrch

    Tagiau Cynnyrch

    Gyda'n rheolaeth wych, gallu technegol cryf a gweithdrefn trin rhagorol llym, rydym yn parhau i ddarparu ein cwsmeriaid ag enw da o'r ansawdd uchaf, prisiau gwerthu rhesymol a darparwyr gwych. Ein nod yw dod ymhlith eich partneriaid mwyaf dibynadwy ac ennill eich boddhad ar gyfer Gwerthwyr Cyfanwerthu Da Tsieina Sgleinio Sgraffinio a Chwythu â Thywod Nano Silicon CarbideSicgyda Dargludedd Thermol Da, Ein nod yn y pen draw bob amser yw graddio fel brand gorau a hefyd arwain fel arloeswr yn ein maes. Rydym yn siŵr y bydd ein profiad cynhyrchiol o greu offer yn ennyn ymddiriedaeth cwsmeriaid, Yn dymuno cydweithredu a chyd-greu tymor hir hyd yn oed yn well gyda chi!
    Gyda'n rheolaeth wych, gallu technegol cryf a gweithdrefn trin rhagorol llym, rydym yn parhau i ddarparu ein cwsmeriaid ag enw da o'r ansawdd uchaf, prisiau gwerthu rhesymol a darparwyr gwych. Ein nod yw dod ymhlith eich partneriaid mwyaf dibynadwy ac ennill eich boddhadTsieina Silicon Carbide, Sic, Ein hamcan yw “cyflenwi cynhyrchion ac atebion cam cyntaf a gwasanaeth gorau i'n cwsmeriaid, felly rydym yn siŵr y bydd yn rhaid i chi gael budd ymylol trwy gydweithio â ni”. Os oes gennych ddiddordeb mewn unrhyw un o'n nwyddau neu os hoffech drafod archeb arferol, mae croeso i chi gysylltu â ni. Rydym yn edrych ymlaen at ffurfio perthnasoedd busnes llwyddiannus gyda chleientiaid newydd ledled y byd yn y dyfodol agos.
    Disgrifiad o'r Cynnyrch

    Mae ein cwmni'n darparu gwasanaethau proses cotio SiC trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau gorchuddio, ffurfio haen amddiffynnol SIC.

    Prif nodweddion:

    1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:

    mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.

    2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.

    3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.

    4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.

    Prif Fanylebau Gorchudd CVD-SIC

    Priodweddau SiC-CVD

    Strwythur grisial FCC β cyfnod
    Dwysedd g/cm ³ 3.21
    Caledwch Vickers caledwch 2500
    Maint Grawn μm 2 ~ 10
    Purdeb Cemegol % 99.99995
    Cynhwysedd Gwres J·kg-1 ·K-1 640
    Tymheredd sublimation 2700
    Cryfder Felexural MPa (RT 4-pwynt) 415
    Modwlws Young Gpa (tro 4pt, 1300 ℃) 430
    Ehangu Thermol (CTE) 10-6K-1 4.5
    Dargludedd thermol (W/mK) 300

    1 2 3 4 5


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Sgwrs WhatsApp Ar-lein!