Epitaxe GaN na bázi křemíku

Popis produktu

Naše společnost poskytuje služby procesu povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů tak, že speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu povlakovaných materiálů, tvoří ochrannou vrstvu SIC.

Hlavní vlastnosti:

1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách:

odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, když je teplota až 1600 C.

2. Vysoká čistota: vyrobena chemickou depozicí par za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC