Zprávy

Jak se vyrábí mikro prášek SiC?
od admina dne 24-05-13
Monokrystal SiC je složený polovodičový materiál skupiny IV-IV složený ze dvou prvků, Si a C, ve stechiometrickém poměru 1:1. Jeho tvrdost je na druhém místě za diamantem. Metoda redukce uhlíku oxidu křemičitého k přípravě SiC je založena hlavně na následujícím vzorci chemické reakce...
Přečtěte si více
Jak epitaxní vrstvy pomáhají polovodičovým součástkám?
od admina dne 24-05-13
Původ názvu epitaxní wafer Nejprve popularizujme malý pojem: příprava waferu zahrnuje dvě hlavní vazby: přípravu substrátu a epitaxní proces. Substrát je wafer vyrobený z polovodičového monokrystalového materiálu. Substrát může přímo vstupovat do výroby oplatek...
Přečtěte si více
Úvod do technologie chemické depozice z plynné fáze (CVD).
od admina dne 24-05-06
Chemická depozice z plynné fáze (CVD) je důležitá technologie depozice tenkých vrstev, která se často používá k přípravě různých funkčních filmů a tenkovrstvých materiálů a je široce používána ve výrobě polovodičů a dalších oborech. 1. Princip činnosti CVD V procesu CVD se používá prekurzor plynu (jeden nebo...
Přečtěte si více
Tajemství „černého zlata“ za průmyslem fotovoltaických polovodičů: touha a závislost na izostatickém grafitu
od admina dne 24-05-06
Izostatický grafit je velmi důležitým materiálem ve fotovoltaice a polovodičích. S rychlým vzestupem domácích izostatických grafitových společností byl monopol zahraničních společností v Číně zlomen. Díky neustálému nezávislému výzkumu a vývoji a technologickým průlomům, ...
Přečtěte si více
Odhalení základních charakteristik grafitových člunů při výrobě polovodičové keramiky
od admina dne 24-04-22
Grafitové čluny, známé také jako grafitové čluny, hrají klíčovou roli ve složitých procesech výroby polovodičové keramiky. Tyto specializované nádoby slouží jako spolehlivé nosiče pro polovodičové destičky při vysokoteplotním zpracování a zajišťují přesné a kontrolované zpracování. s...
Přečtěte si více
Podrobně je vysvětlena vnitřní struktura zařízení pece
od admina dne 24-04-22
Jak je znázorněno výše, je typická První polovina: ▪ Topné těleso (topná spirála): umístěné kolem trubky pece, obvykle vyrobené z odporových drátů, používané k ohřevu vnitřku trubky pece. ▪ Křemenná trubka: Jádro horké oxidační pece vyrobené z vysoce čistého křemene, který odolá...
Přečtěte si více
Vliv SiC substrátu a epitaxních materiálů na vlastnosti MOSFET zařízení
od admina dne 24-04-16
Trojúhelníkový defekt Trojúhelníkové defekty jsou nejfatálnějšími morfologickými defekty v epitaxních vrstvách SiC. Velké množství literárních zpráv ukazuje, že tvorba trojúhelníkových defektů souvisí s krystalickou formou 3C. V důsledku různých růstových mechanismů však morfologie mnoha...
Přečtěte si více
Růst monokrystalu karbidu křemíku SiC
od admina dne 24-04-16
Od svého objevu karbid křemíku přitahuje širokou pozornost. Karbid křemíku se skládá z poloviny atomů Si a poloviny atomů C, které jsou spojeny kovalentními vazbami prostřednictvím elektronových párů sdílejících hybridní orbitaly sp3. V základní strukturní jednotce jeho monokrystalu jsou čtyři atomy Si...
Přečtěte si více
VET Výjimečné vlastnosti grafitových tyčí
od admina dne 24-04-08
Grafit, forma uhlíku, je pozoruhodný materiál známý pro své jedinečné vlastnosti a širokou škálu aplikací. Zejména grafitové pruty si získaly významné uznání pro své výjimečné kvality a všestrannost. Díky své vynikající tepelné vodivosti, elektrické vodivosti...
Přečtěte si více