Přímo v továrně China Green Sic Powder Silicon Carbide Powder JIS Standard

Krátký popis:


Detail produktu

Štítky produktu

Naše zboží je široce uznáváno a spolehlivé uživateli a může uspokojovat neustále se měnící finanční a sociální požadavky Factory přímo China GreenSicSilicon Carbide Powder JIS Standard, Proto se můžeme setkat s různými dotazy od různých klientů. Nezapomeňte získat naši webovou stránku, kde najdete mnohem více informací a faktů o našich produktech.
Naše zboží je široce uznáváno a spolehlivé uživateli a může splňovat neustále se měnící finanční a sociální požadavkyČína karbid křemíku, Sic, Naše společnost se vždy zavázala splnit vaši poptávku po kvalitě, cenové body a prodejní cíl. Srdečně vás vítám, otevíráte hranice komunikace. Je nám velkým potěšením vám poskytnout služby, pokud budete potřebovat důvěryhodného dodavatele a cenné informace.

Popis produktu

Karbon/karbonové kompozity(dále jen „C/C nebo CFC”) je druh kompozitního materiálu na bázi uhlíku a vyztužený uhlíkovými vlákny a jejich produkty (předlisek z uhlíkových vláken). Má jak setrvačnost uhlíku, tak vysokou pevnost uhlíkových vláken. Má dobré mechanické vlastnosti, tepelnou odolnost, odolnost proti korozi, tlumení tření a tepelnou a elektrickou vodivost

CVD-SiCpovlak má vlastnosti jednotné struktury, kompaktního materiálu, vysoké teplotní odolnosti, odolnosti proti oxidaci, vysoké čistoty, odolnosti vůči kyselinám a zásadám a organického činidla, se stabilními fyzikálními a chemickými vlastnostmi.

Ve srovnání s vysoce čistými grafitovými materiály začíná grafit oxidovat při 400 °C, což způsobí ztrátu prášku v důsledku oxidace, což má za následek znečištění životního prostředí periferních zařízení a vakuových komor a zvýšení nečistot ve vysoce čistém prostředí.

Povlak SiC však může udržovat fyzikální a chemickou stabilitu při 1600 stupních, je široce používán v moderním průmyslu, zejména v polovodičovém průmyslu.

Naše společnost poskytuje služby procesu povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů tak, že speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu povlakovaných materiálů, tvoří ochrannou vrstvu SIC. Vytvořený SIC je pevně spojen s grafitovou základnou, což dává grafitové základně speciální vlastnosti, díky čemuž je povrch grafitu kompaktní, bez pórovitosti, odolnost proti vysokým teplotám, odolnost proti korozi a odolnost proti oxidaci.

 Zpracování povlaku SiC na susceptorech MOCVD s grafitovým povrchem

Hlavní vlastnosti:

1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách:

odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, když je teplota až 1600 C.

2. Vysoká čistota: vyrobena chemickou depozicí par za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

 

Hlavní specifikace povlaků CVD-SIC:

SiC-CVD

Hustota

(g/cc)

3.21

Pevnost v ohybu

(Mpa)

470

Tepelná roztažnost

(10-6/K)

4

Tepelná vodivost

(W/mK)

300

Detailní obrázky

Zpracování povlaku SiC na susceptorech MOCVD s grafitovým povrchemZpracování povlaku SiC na susceptorech MOCVD s grafitovým povrchemZpracování povlaku SiC na susceptorech MOCVD s grafitovým povrchemZpracování povlaku SiC na susceptorech MOCVD s grafitovým povrchemZpracování povlaku SiC na susceptorech MOCVD s grafitovým povrchem

Informace o společnosti

111

Tovární vybavení

222

Sklad

333

Certifikace

Certifikace22

 


  • Předchozí:
  • Další:

  • WhatsApp online chat!