Modrá/zelená LED epitaxe

Krátký popis:


  • Místo původu:Čína
  • Krystalová struktura:FCCβ fáze
  • Hustota:3,21 g/cm;
  • Tvrdost:2500 Vickerů;
  • Velikost zrna:2~10μm;
  • Chemická čistota:99,99995 %;
  • Tepelná kapacita:640J·kg-1·K-1;
  • Teplota sublimace:2700 ℃;
  • Felexurální síla:415 Mpa (RT 4-bod);
  • Youngův modul:430 Gpa (4pt ohyb, 1300℃);
  • Tepelná roztažnost (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Tepelná vodivost:300(W/MK);
  • Detail produktu

    Štítky produktu

    Popis produktu

    Naše společnost poskytuje služby procesu povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů tak, že speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu povlakovaných materiálů, tvoří ochrannou vrstvu SIC.

    Hlavní vlastnosti:

    1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách:

    odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, když je teplota až 1600 C.

    2. Vysoká čistota: vyrobena chemickou depozicí par za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

    3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

    4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

    Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC

    Vlastnosti SiC-CVD

    Krystalová struktura FCC β fáze
    Hustota g/cm³ 3.21
    Tvrdost Tvrdost podle Vickerse 2500
    Velikost zrna μm 2~10
    Chemická čistota % 99,99995
    Tepelná kapacita J·kg-1 ·K-1 640
    Teplota sublimace 2700
    Felexurální síla MPa (RT 4-bodové) 415
    Youngův modul Gpa (4pt ohyb, 1300℃) 430
    Tepelná expanze (CTE) 10-6K-1 4.5
    Tepelná vodivost (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Předchozí:
  • Další:

  • WhatsApp online chat!