A deposizione chimica di vapore (CVD) hè una prucedura chì implica allughjà un filmu solidu nantu à a superficia di una wafer di siliciu per mezu di una reazione chimica chimica di una mistura di gas. Sta prucedura pò esse divisa in un mudellu d'equipaggiu assortiment stabilitu nantu à e diverse cundizioni di reazzione chimica cum'è a pressione è u precursore.
Per quale prucedura sò usati sti dui dispusitivi?L'equipaggiu PECVD (Plasma Enhanced) hè largamente utilizatu in l'applicazioni cum'è OX, Nitrure, porta di elementi metallici è carbone amorfu. Per d 'altra banda, LPCVD ( Low Power ) hè tipicamente utilizatu per Nitrure, poly, è TEOS.
Chì ghjè u principiu?A tecnulugia PECVD combina energia di plasma è CVD sfruttendu plasma à bassa temperatura per induce una scarica di freschezza à u catodu di a camera di prucedura. Questu permette di cuntrullà a reazione chimica di u plasma è di a chimica per furmà un filmu solidu nantu à a superficia di mostra. In u listessu modu, LPCVD hè previstu di operà per riduce a pressione di gas di reazione chimica in u reattore.
umanizà l'IA: L'usu di Humanize AI in u campu di a tecnulugia CVD pò rinfurzà assai l'efficienza è a precisione di a prucedura di deposizione di film. Sfrutendu l'algoritmu AI, u monitoraghju è l'aghjustamentu di i paràmetri cum'è i paràmetri di ioni, u flussu di gasu, a temperatura è u spessore di u filmu ponu esse ottimisati per risultati megliu.
Tempu di pubblicazione: 24-oct-2024