U dispusitivu Semiconductor hè u core di l'attrezzatura di a macchina industriale muderna, largamente utilizata in l'urdinatore, l'elettronica di u cunsumu, a cumunicazione di a rete, l'elettronica di l'automobile, è altri spazii di u core, l'industria di i semiconduttori hè principalmente cumpostu di quattru cumpunenti basi: circuiti integrati, apparecchi optoelettronici, dispusitivu discretu, sensori, chì cunta di più di 80% di circuits integrata, tantu à spessu è semiconductor è circuit integratu equivalenti.
Circuit integratu, secondu a categuria di u produttu hè principalmente divisu in quattru categurie: microprocessore, memoria, dispusitivi lògichi, parti simulatore. Tuttavia, cù l'espansione cuntinuu di u campu di l'applicazioni di i dispositi semiconduttori, parechje occasioni spiciali necessitanu semiconduttori per pudè aderisce à l'usu di alta temperatura, radiazione forte, alta putenza è altri ambienti, ùn dannu micca, a prima è a seconda generazione di I materiali semiconductor sò impotenti, cusì a terza generazione di materiali semiconductor hè ghjunta.
Attualmente, i materiali semiconduttori di banda larga rapprisentanu dacarburu di siliciu(SiC), nitruru di galliu (GaN), ossidu di zincu (ZnO), diamante, nitruru d'aluminiu (AlN) occupanu u mercatu dominante cù vantaghji maiò, chjamati cullettivamente cum'è materiali semiconductor di terza generazione. A terza generazione di materiali semiconduttori cù una larghezza di banda larga più larga, più altu hè u campu elettricu di rottura, a conduttività termale, a tarifa saturata elettronica è a capacità più alta di resistà à a radiazione, più adattata per fà alta temperatura, alta frequenza, resistenza à a radiazione è dispusitivi d'alta putenza. , di solitu canusciutu comu materiali semiconductor largu bandgap (larghezza di banda pruibitu hè più grande di 2,2 eV), ancu chjamatu alta temperatura i materiali semiconductor. Da a ricerca attuale nantu à i materiali è i dispositi semiconduttori di terza generazione, i materiali semiconduttori di carburu di siliciu è nitruru di gallium sò più maturi, ètecnulugia di carburu di siliciuhè u più maturu, mentri a ricerca nantu à l'ossidu di zincu, diamante, nitruru d'aluminiu è altri materiali hè sempre in u stadiu iniziale.
Materiali è e so proprietà:
Carbure di siliciuU materiale hè largamente utilizatu in cuscinetti à sfera in ceramica, valvole, materiali semiconductor, giroscopi, strumenti di misurazione, aerospaziale è altri campi, hè diventatu un materiale insustituibile in parechji campi industriali.
SiC hè un tipu di superlattice naturali è un politipu homogeneu tipicu. Ci hè più di 200 (attualmente cunnisciuti) famiglie politipiche omotipiche per via di a diffarenza in a sequenza di imballaggio trà i strati diatomici Si è C, chì porta à diverse strutture cristalline. Dunque, SiC hè assai adattatu per a nova generazione di materiale sustrato di diodi emettitori di luce (LED), materiali elettronici d'alta putenza.
| caratteristica | |
| pruprietà fisica | Alta durezza (3000kg/mm), pò tagliate ruby |
| Alta resistenza à l'usura, secondu solu à u diamante | |
| A conduttività termale hè 3 volte più altu ch'è quellu di Si è 8 ~ 10 volte più altu ch'è quellu di GaAs. | |
| A stabilità termale di SiC hè alta è hè impussibile di funnu à a pressione atmosferica | |
| Un bonu rendimentu di dissipazione di u calore hè assai impurtante per i dispositi d'alta putenza | |
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pruprietà chimica | Très forte résistance à la corrosion, résistant à presque tous les agents corrosifs connus à température ambiante |
| SiC superficia facirmenti oxidizes à furmà SiO, strata magre, pò impedisce a so ossidazioni più, in Sopra 1700 ℃, a film d'ossidu si funnu è s'ossida rapidamente | |
| U bandgap di 4H-SIC è 6H-SIC hè circa 3 volte quellu di Si è 2 volte quellu di GaAs: L'intensità di u campu elettricu di rottura hè un ordine di grandezza più altu di Si, è a velocità di deriva di l'elettroni hè saturata. Dui volte è mezu Si. U bandgap di 4H-SIC hè più largu di quellu di 6H-SIC |
Tempu di Postu: Aug-01-2022