I cumpunenti di grafite d'alta purezza sò crucialiprucessi in l'industria di semiconductor, LED è sulari. A nostra offerta varieghja da consumabili di grafite per e zone calde di crescita di cristalli (riscaldatori, suscettori di crucible, insulazioni), à cumpunenti di grafite d'alta precisione per l'equipaggiu di trasfurmazioni di wafer, cum'è i suscettori di grafite rivestiti di carburu di siliciu per Epitaxy o MOCVD. Hè quì chì a nostra grafite di specialità entra in ghjocu: u grafitu isostaticu hè fundamentale per a produzzione di strati semiconductor cumposti. Questi sò generati in a "zona calda" sottu à temperature estreme durante u prucessu epitaxiu chjamatu, o MOCVD. U trasportatore rotanti nantu à quale i wafers sò rivestiti in u reactore, hè custituitu di grafite isostaticu di carburu di siliciu. Solu stu grafitu assai puru è omogeneu risponde à i requisiti elevati in u prucessu di rivestimentu.
TU principiu di basa di crescita di wafer epitaxial LED hè: nantu à un sustrato (principalmente zaffiro, SiC è Si) riscaldatu à una temperatura approprita, u materiale gaseous InGaAlP hè trasportatu à a superficia di u sustrato in modu cuntrullatu per cultivà un film di cristallu unicu specificu. Attualmente, a tecnulugia di crescita di u wafer epitaxial LED adopta principalmente a deposizione di vapore chimicu di metalli organici.
Materiale sustrato epitaxial LEDhè a basa di u sviluppu tecnologicu di l'industria di l'illuminazione semiconductor. Diversi materiali di sustrato necessitanu diverse tecnulugia di crescita di wafer epitassiali LED, tecnulugia di trasfurmazioni di chip è tecnulugia di imballaggio di u dispositivu. I materiali di substratu determinanu a strada di sviluppu di a tecnulugia di l'illuminazione semiconductor.
Caratteristiche di a selezzione di materiale di sustrato di wafer epitaxial LED:
1. U materiale epitaxial hà a struttura di cristalli listessi o simili cù u sustrato, una mancata constante di lattice petite, una bona cristalinità è una densità di difetti bassu.
2. Boni caratteristiche di l'interfaccia, favurendu a nucleazione di materiali epitassiali è una forte aderenza
3. Hà una bona stabilità chimica è ùn hè micca faciule di descompone è corrode in a temperatura è l'atmosfera di crescita epitaxial.
4. Un bonu rendimentu termale, cumpresa una bona conductività termale è una discordanza termica bassa
5. Bona conductività, pò esse fatta in struttura superiore è inferjuri 6, bona prestazione ottica, è a luce emessa da u dispusitivu fabricatu hè menu assorbita da u sustrato.
7. Boni pruprietà miccanica è facili trasfurmazioni di i dispusitivi, cumpresi thinning, lucidatura è taglio
8. Bassu prezzu.
9. Grande taglia. In generale, u diametru ùn deve esse menu di 2 inch.
10. Hè faciule d'ottene un sustrato di forma regulare (à menu chì ùn ci sò altre esigenze spiciali), è a forma di sustrato simile à u pirtusu di l'equipaggiu epitaxial ùn hè micca faciule per furmà un currente di eddy irregulare, per affettà a qualità epitaxial.
11. Nantu à a premessa di ùn affettà a qualità epitaxial, a machinability di u sustrato deve risponde à i requisiti di u processu di chip è imballaggio successive quantu pussibule.
Hè assai difficiuli per a selezzione di sustrato per scuntrà l'aspettu di sopra à l'onze à u stessu tempu. Dunque, attualmente, pudemu solu adattà à a R & D è a pruduzzione di i dispusitivi semiconductori chì emettenu luce nantu à diversi sustrati attraversu u cambiamentu di a tecnulugia di crescita epitaxial è l'ajustamentu di a tecnulugia di trasfurmazioni di u dispositivu. Ci hè parechje materiali di sustrato per a ricerca di nitruru di gallu, ma ci sò solu dui sustrati chì ponu esse usatu per a produzzione, à dì u zaffiro Al2O3 è u carburu di siliciu.sustrati SiC.
Tempu di Postu: Feb-28-2022