Silicon SIC nga agup-opsilikonSSIC RBSIC nga agup-op
Walay pressure nga sintered silicon carbide (SSIC)gihimo gamit ang maayo kaayo nga SiC powder nga adunay sulud nga sintering additives. Giproseso kini gamit ang mga pamaagi sa pagporma nga kasagaran alang sa ubang mga seramiko ug gi-sinter sa 2,000 ngadto sa 2,200 ° C sa usa ka inert gas atmosphere. Ingon man usab sa mga fine-grained nga mga bersyon, nga adunay mga gidak-on sa lugas <5 um, mga coarse-grained nga mga bersyon nga adunay mga gidak-on sa lugas nga hangtod sa 1.5 mm anaa.
Ang SSIC gipalahi sa taas nga kusog nga nagpabilin nga halos kanunay hangtod sa taas kaayo nga temperatura (gibana-bana nga 1,600 ° C), nagmintinar sa kusog sa taas nga mga panahon!
Mga bentaha sa produkto:
Taas nga temperatura nga pagsukol sa oksihenasyon
Maayo kaayo nga Corrosion resistance
Maayo nga pagsukol sa abrasion
Taas nga coefficient sa heat conductivity
Self-lubricity, ubos nga Densidad
Taas nga katig-a
Nahiangay nga disenyo.
Teknikal nga mga kabtangan:
Mga butang | Unit | Data |
Katig-a | HS | ≥110 |
Rate sa Porosity | % | <0.3 |
Densidad | g/cm3 | 3.10-3.15 |
Compressive | MPa | >2200 |
Kalig-on sa Fractural | MPa | >350 |
Coefficient sa pagpalapad | 10/°C | 4.0 |
Ang sulod sa Sic | % | ≥99 |
Thermal conductivity | W/mk | >120 |
Elastic nga Modulus | GPa | ≥400 |
Temperatura | °C | 1380 |